| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de traitement de la face arrière d'une cellule solaire photovoltaique comprenant un substrat de germanium (Ge)ou d'arséniure de gallium (GaAs) couvert à l'avant d'une matière crystalline semi-conductrice, ce traitement comprenant un décapage enlevant de la matière du substrat, caractérisé en ce que ce décapage est un décapage par plasma gazeux ionisé |
