| 主权项 |
1.一种制造半导体装置的方法,包括以下步骤:接近半导体基底,形成氧化钽层;在与该半导体基底相反侧的该氧化钽层上,形成金属氧化层;以及在与该氧化钽层相反侧的金属氧化层上,形成金属氮化层,该金属氮化层包括能还原氧化钽层的金属;该金属氧化层会利用金属氮化层中的金属,来实质上阻断氧化钽层之还原。2.如申请专利范围中第1项之方法,其中该形成氧化钽层的步骤,还包括形成五氧化钽层。3.如申请专利范围中第1项之方法,其中该形成金属氧化层的步骤,包括形成至少一层氧化钛层,氧化锆层或氧化钌层。4.如申请专利范围中第1项之方法,其中该形成金属氮化层的步骤,包括形成氮化钛层。5.如申请专利范围中第1项之方法,其中该金属氧化层的介电常数大于约25。6.如申请专利范围中第1项之方法,其中该基底包括矽;进一步包括在基底内形成通道区的步骤。7.如申请专利范围中第6项之方法,进一步包括在基底与氧化钽层之间形成氧化矽层的步骤。8.如申请专利范围中第7项之方法,进一步包括在基底与氧化矽层之间形成实质上没有应力界面的步骤。9.如申请专利范围中第1项之方法,进一步包括以下步骤:在基底与氧化钽层之间形成氧化矽层;以及在基底与氧化矽层之间形成实质上没有应力界面。10.如申请专利范围中第9项之方法,其中该形成实质上没有应力界面的步骤,包括在氧化气体中,对氧化矽层与基底进行退火处理。11.如申请专利范围中第1项之方法,进一步包括在基底与氧化钽层之间形成导电层,以定出具有金属氮化层的电容。12.如申请专利范围中第11项之方法,其中该形成导电层的步骤,包括形成金属层。13.如申请专利范围中第11项之方法,进一步包括在导电层与氧化钽层之间形成氧化矽层。14.如申请专利范围中第11项之方法,进一步包括在基底与导电层之间,形成绝缘层。15.一种制造半导体装置的方法,包括以下步骤:接近半导体基底,形成氧化钽层;在与该半导体基底相反侧的该氧化钽层上,形成氧化钛层;以及在与该氧化钽层相反侧的氧化钛层上,形成金属氮化层,其中该氧化钛层由金属氮化层中的金属实质上阻断氧化钽层之还原。16.如申请专利范围中第15项之方法,其中该形成氧化钽层的步骤,包括形成五氧化钽层。17.如申请专利范围中第15项之方法,其中该氧化钛层的介电常数约为40。18.如申请专利范围中第15项之方法,其中该基底包括矽;且进一步包括在基底内形成通道区的步骤。19.如申请专利范围中第18项之方法,进一步包括在基底与氧化钽层之间形成氧化矽层的步骤。20.如申请专利范围中第19项之方法,进一步包括在基底与氧化矽层之间形成实质上没有应力界面的步骤。21.如申请专利范围中第15项之方法,进一步包括以下步骤:在基底与氧化钽层之间形成氧化矽层;以及在基底与氧化矽层之间形成实质上没有应力界面。22.如申请专利范围中第21项之方法,其中该形成实质上没有应力界面的步骤,包括在氧化气体中,对氧化矽层与基底进行退火处理。23.如申请专利范围中第15项之方法,进一步包括在基底与氧化钽层之间形成导电层,以定出具有金属氮化层的电容。24.如申请专利范围中第23项之方法,其中该形成导电层的步骤,包括形成金属层。25.如申请专利范围中第23项之方法,进一步包括在导电层与氧化钽层之间形成氧化矽层。26.如申请专利范围中第23项之方法,进一步包括在基底与导电层之间,形成绝缘层。27.一种制造积体电路装置的方法,包括以下步骤:接近基底处,形成包括容易被还原的金属氧化物的第一金属氧化层;在与该基底相反侧的该第一金属氧化层上,形成第二金属氧化层;以及在与该第一金属氧化层相反侧的第二金属氧化层上,形成金属氮化层,其中该金属氮化层包括能还原第一金属氧化层中金属氧化物的金属;该第二金属氧化层会利用金属氮化层中的金属,来阻断金属氧化物的还原。28.如申请专利范围中第27项之方法,其中该第一金属氧化层中金属氧化物包括至少一种氧化钽或五氧化钽中。29.如申请专利范围中第27项之方法,其中该形成第二金属氧化层的步骤,包括形成至少一层氧化钛层,氧化锆层或氧化钌层。30.如申请专利范围中第27项之方法,其中该形成金属氮化层的步骤,包括形成氮化钛层。31.如申请专利范围中第27项之方法,其中该金属氧化层的介电常数大于约25。图式简单说明:第一图是依据本发明积体电路装置的剖示图;第二图是依据本发明电晶体的剖示图;第三图是依据本发明电容的剖示图;以及第四图-第八图是依据本发明制造方法之步骤的剖示图。 |
