| 主权项 |
1.一种矽半导体元件之电极构造,其特征为:在矽半 导体元件,具有在半导体面上与半导体形成欧姆接 触的第1金属层,及对于有机酸比第1金属层有高耐 腐蚀性且焊料湿润性优异的第2金属层,第2金属层 所形成之范围具有圆绕第1金属层且完全地覆盖至 侧面之构造的电极。2.如申请专利范围第1项所述 的矽半导体元件之电极构造,其中,第1金属层由Al, Ti,W或Au中之一种所构成,第2金属层由Cu,Ni或Au(第1 金属层为Au时施以直接叠层时系除外)中之一种所 构成者。3.如申请专利范围第1项或第2项所述的矽 半导体元件之电极构造,其中,在第1金属层与第2金 属层之间插入Ni或Cr (但是第2金属层为Ni时系被限 定于Cr)之中间金属层,且该中间金属层系完全地覆 盖第1金属层。又介经第2金属层完全地覆盖第1金 属层及中间金属层者。4.一种矽半导体元件之电 极构造,属于申请专利范围第1项至第3项中任何一 项所述的矽半导体元件,其特征为:保留电极表面 之所定范围,以绝缘物遮蔽周围者。5.一种焊料粘 附矽元件之制造方法,其特征为:在矽基板,叠层第1 金属层,完全覆盖该金属层地叠层中间金属层,完 全覆盖第1金属层及中间金属层地叠层第2金属层, 然后以绝缘物覆盖该金表面,再经阻碍,蚀刻而开 设该电极表面之所定范围的窗,然后在该半导体元 件之窗部分选择性地附与黏接性,在该黏接部附着 焊料粉末,经加热熔融者。图式简单说明: 第一图系表示使用实施例的具有电极之晶圆测试 基板隆起接点的构造图。 |
