| 主权项 |
1.一种酚树脂,其特征为于主链骨架中具有下述构 造(I)作为构成单位2.一种酚树脂,其为于主链骨架 中具有下述构造(II)作为构成单位 。3.如申请专利范围第1项之酚树脂,其为下述一般 式(III)所示 。 (此处,m,n为表示正数,Ar为表示 所示之二价有机基中之至少一者,且R1-R3为分别独 立选自氢,和碳数为1-9个之烷基)。4.如申请专利范 围第2项之酚树脂,其为下述一般式(IV)所示 (此处,m,n为表示正数,Ar为表示 所示之二价有机基中之至少一者,且R1-R3为分别独 立选自氢,和碳数为1-9个之烷基)。5.如申请专利范 围第3项或第4项之酚树脂,其中上述m及上述n之合 计为数平均10以下。6.如申请专利范围第1项或第3 项之酚树脂,其为下述一般式(X VI)所示 (此处,R为氢或碳数为1-9个之烷基,m,n,p为分别表示 正数)。7.如申请专利范围第2项或第4项之酚树脂, 其为下述一般式(X VII)所示 (此处,R为氢或碳数为1-9个之烷基,m,n,p为分别表示 正数)。8.如申请专利范围第6项或第7项之酚树脂, 其中上述m,上述n及上述p之合计为数平均10以下。9 .一种树脂组成物,其特征为含有如申请专利范围 第1-8项中任一项之酚树脂。10.一种封装用成形材 料,其特征为含有如申请专利范围第1-8项中任一项 之酚树脂。11.一种电子零件装置,其特征为具备元 件,及如申请专利范围第10项之成形材料硬化物所 组成之用以封装上述元件之材料。图式简单说明: 第一图为合成例1所得之树脂的FD-MS(电解脱离质量 分析)光谱。 第二图为合成例1所得之树脂的GPC(胶渗透层析)层 析。 第三图为合成例1所得之树脂之低分子量成分的GPC 层析。 第四图为经由薄层层析所分离之合成例1所得之树 脂之低分子量成分的GPC层析。 第五图为经由薄层层析所分离之合成例1所得之树 脂之低分子量成分的FD-MS光谱。 第六图为经由薄层层析所分离之合成例1所得之树 脂之低分子量成分之1H-NMR(核磁共振)光谱。 第七图中的(a)以及(b)为合成例2所得之树脂的FD-MS 光谱。 第八图为合成例3所得之树脂的FD-MS光谱。 第九图为合成例4所得之树脂的GPC层析。 第十图为合成例4所得之树脂的FD-MS光谱。 第十一图为合成例5所得之树脂的GPC层析。 第十二图为合成例5所得之树脂的FD-MS光谱。 第十三图为合成例6所得之树脂的GPC层析。 第十四图为合成例6所得之树脂的FD-MS光谱。 第十五图为示出各实施例制作之半导体封装物之 断面图。 |
