| 摘要 |
<p>On décrit un appareil (10) et un procédé de polissage chimiomécanique d'un bord (24) d'une tranche (22) à semi-conducteurs dans lesquels on utilise un tampon à polir (16) chauffé et une pâte (56) chimique liquide chauffée. L'appareil comprend un tambour rotatif (12) présentant une surface externe cylindrique, un tapis (40) pouvant être chauffé qui est placé autour de la surface externe du tambour et un tampon à polir (16) positionné globalement parallèlement au tapis. Un porte-tranche (32), un récipient (50) de pâte liquide et un système d'apport de pâte sont également prévus. Le procédé comprend les étapes suivantes : on chauffe la pâte liquide (56) jusqu'à une température élevée et on applique de la chaleur sur le tampon à polir (16) depuis la partie de dessous (20) de ce dernier pour élever la température du tampon à polir. Un bord périphérique (24) de la tranche (22) à semi-conducteurs est en contact avec un côté (18) de polissage du tampon à polir (16) et on effectue un mouvement relatif entre la tranche et le tampon alors que la pâte chauffée est apportée simultanément sur une région où le bord de la tranche est en contact avec le tampon.</p> |
