| 摘要 |
<p>Auf einer Halbleiterstruktur wird in Vertiefungen auf der Oberfläche, insbesondere unterhalb der ersten Metallstrukturebene, eine Diffusionsbarriereschicht, vorzugsweise mit Hilfe einer plasmaunterstützten Gasphasenabscheidung, bei der die im Plasma enthaltenen Ionen senkrecht zur Oberfläche beschleunigt werden, abgeschieden, so dass sich eine nicht konforme Abscheidung der Diffusionsbarriereschicht ergibt. <IMAGE></p> |
