微细图形形成材料及用该材料制造半导体装置的方法

摘要

本发明涉及在可以供给酸的底层抗蚀图形上,覆盖由于酸的供给而发生交联的增厚材料。在该基准增厚材料中,添加规定量的弱酸或添加通过热分解可以产生酸的化合物。通过加热,将酸从底层抗蚀图形转移到增厚材料中,界面上生成的交联层是作为底层抗蚀图形的被覆层而形成的,使抗蚀图形变粗。因此,抗蚀孔径缩小,隔离宽度也缩小。

主权项

1．一种微细图形形成材料，其特征在于，该材料是由以一种水溶性树脂，或两种以上该水溶性树脂的混合物，或者，两种以上该水溶性树脂的共聚物作为主要成分，并添加规定量的弱酸构成的，以水或者水和水溶性有机溶剂的混合溶剂作为溶剂将其溶解，再由在供给酸的第一抗蚀图形上形成并从该第一抗蚀图形放出的酸，使其在与该第一抗蚀图形邻接的部分引发交联反应由此形成交联膜，而未交联部分以水或者水与水溶性有机溶剂的混合溶剂作为显影液将其除去。