| 主权项 |
1.一种绝缘闸型半导体装置,第一导电形半导体层;由设于该半导体层之表面侧的第二导电形扩散区域所构成的本体区域;形成于该本体区域之表面侧的第一导电形扩散区域;以及由该第一导电形扩散区域和前述第一导电形半导体层所夹住且形成于前述本体区域之表面侧的通道区域所形成之电晶体单元,且该电晶体单元系在前述第一导电形半导体层上有规则性地形成复数个,而该半导体层之表面介着绝缘膜设有闸极覆盖至少前述通道区域之表面,同时该闸极,系在前述复数个电晶体单元所邻接的三或四个前述电晶体单元之交点部分以一定之形状除去,并使该除去之部分不会设在前述通道区域上。2.如申请专利范围第1项之绝缘闸型半导体装置,其中前述复数个电晶体单元系以每一列错开半个节距之方式排列形成,同时前述本体区域及前述电晶体单元系以平面形状形成四角形,且在前述复数个电晶体单元所邻接的三个电晶体单元之交点部分上形成有前述闸极之除去部。3.如申请专利范围第1项之绝缘闸型半导体装置,其中前述复数个电晶体单元系以每一列错开半个节距之方式排列形成,同时前述本体区域及前述电晶体单元系以平面形状形成六角形,且在前述复数个电晶体单元所邻接的三个电晶体单元之交点部分上形成有前述闸极之除去部。4.如申请专利范围第1项之绝缘闸型半导体装置,其中前述复数个电晶体单元系排列形成矩阵状,同时前述本体区域及前述电晶体单元系以平面形状形成四角形,且在前述复数个电晶体单元所邻接的四个电晶体单元之交点部分上形成有前述闸极之除去部。图式简单说明:第一图为作为本发明之绝缘闸型半导体装置之一实施形态的纵型MOSFET之局部截面斜视说明图。第二图显示第一图之闸极除去部之另一构成例的说明图。第三图(a)、第三图(b)、第三图(c)显示单元配置及闸极除去部之更另一例之构成例的说明图。第四图(a)、第四图(b)为习知之纵型MOSFET之局部的截面说明图。第五图减少习知之纵型MOSFET之闸极电容之例的说明图。 |
