| 主权项 |
1.一种制造具有多层电路之半导体装置之方法,藉此在一半导体本体上形成一铝导电层,铝导电层系由一层绝缘材料所覆盖,在该绝缘层内形成一接触窗,该接触窗具有一侧壁以向下到达导电层,并且在该导电层上具有一导电中间层以及一铝层,进行热处理使得铝从导电层成长到接触窗内,其中在接触窗的侧壁上设有一钛导电中间层,及在热处理时形成Al3Ti。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在钛导电中间层是在接触窗的侧壁上,具有最小1nm的厚度。3.如申请专利范围第2项之方法,其特征在钛导电中间层不只是在接触窗的侧壁上,同时也在曝露于接触窗内的导电层上,导电层上的该钛导电中间层具有最大10nm的厚度。4.如申请专利范围中第1或2或3项之方法,其特征在热处理时沉积一第二铝层,在第二铝层内形成位于绝缘层上的一导电层,并且经由接触窗连接到绝缘层底下适当的导电层。5.如申请专利范围第4项之方法,其特征在接触窗侧壁上铝层的沉积以及第二铝层的沉积,在一个相同的反应室内连续的进行。6.如申请专利范围第5项之方法,其特征在半导体本体当接触窗侧壁上铝层在沉积时,会被加热到最高150℃的温度。7.如申请专利范围第6项之方法,其特征在半导体本体的温度最好是在接触窗侧壁上的铝层沉积之后的35s内,立即被加到最高450℃到500℃之间,并且保持该温度30到50s。图式简单说明:第一图是具有多层电路的半导体装置的剖示图,第二图到第五图以剖示方式显示出依据本发明之第一实施例的一些半导体制程步骤,第六图到第九图以剖示方式显示出依据本发明第二实施例的一些半导体制程步骤,以及第十图画出依据本发明的制造方法中半导体本体的温度梯度。 |
