| 主权项 |
1.一种从一于白金电极蚀刻期间形成的白金电极上去除再沉积遮盖物的方法,该方法包括的步骤为:a)提供一具有再沉积的遮盖物之白金电极,该遮盖物是在白金电极的蚀刻期间形成于该白金电极上;b)蚀刻步骤(a)之该白金电极,其包括应用一蚀刻气体之高密度电浆来将再沉积遮盖物从该白金电极上去除。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该高密度电浆的蚀刻气体包含氧气。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该高密度电浆的蚀刻气体是从包含有氯气、氧气、氩气及它们的混合物之组群中选取的。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该高密度电浆的蚀刻气体包含氧气及氯气。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(a)的白金电极额外地包括一位在该白金电极之一经选择的部份上的罩幕层用以在步骤(b)的蚀刻期间选择性地保护该白金电极。6.如申请专利范围第2项所述之方法,其中步骤(a)的白金电极额外地包括一位在该白金电极之一经选择的部份上的罩幕层用以在步骤(b)的蚀刻期间选择性地保护该白金电极。7.如申请专利范围第3项所述之方法,其中步骤(a)的白金电极额外地包括一位在该白金电极之一经选择的部份上的罩幕层用以在步骤(b)的蚀刻期间选择性地保护该白金电极。8.如申请专利范围第5项所述之方法,其中步骤(a)的白金电极额外地包括一沉积在该白金电极之一经选择的部份上介于该罩幕层与该白金电极之间的保护层。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中步骤(a)的白金电极额外地包括一沉积在该白金电极之一经选择的部份上介于该罩幕层与该白金电极之间的保护层。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中步骤(a)的白金电极额外地包括一沉积在该白金电极之一经选择的部份上介于该罩幕层与该白金电极之间的保护层。11.如申请专利范围第5项所述之方法,其更包括在步骤(b)的蚀刻之后去除该罩幕层的步骤。12.如申请专利范围第5项所述之方法,其更包括在步骤(b)的蚀刻期间去除该罩幕层的步骤。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其更包括在步骤(b)的蚀刻之后去除该罩幕层的步骤。14.如申请专利范围第8项所述之方法,其更包括在步骤(b)的蚀刻之后去除该罩幕层的步骤。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其更包括在步骤(b)的蚀刻之后去除该罩幕层的步骤。16.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(b)之再沉积的遮盖物系早先于该白金电极的蚀刻期间应用一包含氩气的蚀刻气体而被形成于该白金电极上。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中步骤(b)之再沉积的遮盖物系早先于该白金电极的蚀刻期间应用一包含氩气的蚀刻气体而被形成于该白金电极上。18.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括在一具有一线圈感应器及一晶圆托架之高密度电浆室内沉积该包含步骤(a)之白金电极的白金电极晶圆;并在下列的制程条件下于高密度电浆室内实施蚀刻步骤(b)制程 参数蚀刻气体流 50至400sccm压力,mTorr 0.5至40milliTorr线圈感应器之RF能量(瓦) 100至3000瓦晶圆托架之RF能量(瓦) 50至1500瓦白金电极晶圆的温度(℃) 20至500℃遮盖物蚀刻率(埃/分) 200至2000埃/分线圈感应器之RF频率 100K至200MHz晶圆托架之RF步骤 100K至200MHz。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中步骤(a)之白金电极额外地包括一再沉积的侧壁;及该制程条件额外地包括一在约0埃/分至约300埃/分范围内之侧壁蚀刻率。20.如申请专利范围第2项所述之方法,其更包括在一具有一线圈感应器及一晶圆托架之高密度电浆室内沉积该包含步骤(a)之白金电极的白金电极晶圆;并在下列的制程条件下于该高密度电浆室内实施蚀刻步骤(b)制程 参数O2 高达100%体积压力,mTorr 0.5至40milliTorr线圈感应器之RF能量(瓦) 100至3000瓦晶圆托架之RF能量(瓦) 50至1500瓦白金电极晶圆的温度(℃) 20至500℃遮盖物蚀刻率(埃/分) 200至2000埃/分线圈感应器之RF频率 100K至200MHz晶圆托架之RF步骤 100K至200MHz。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中前述之白金电极额外地包括一再沉积的侧壁;及该制程条件额外地包括一在约0埃/分至约300埃/分范围内之侧壁蚀刻率。22.如申请专利范围第4项所述之方法,其更包括在一具有一线圈感应器及一晶圆托架之高密度电浆室内沉积该包含步骤(a)之白金电极的白金电极晶圆;并在下列的制程条件下于该高密度电浆室内实施蚀刻步骤(b)制程 参数Cl2 0至50%体积O2 50至100%体积压力,mTorr 0.5至40milliTorr线圈感应器之RF能量(瓦) 100至3000瓦晶圆托架之RF能量(瓦) 50至1500瓦白金电极晶圆的温度(℃) 20至500℃遮盖物蚀刻率(埃/分) 200至2000埃/分线圈感应器之RF频率 100K至200MHz晶圆托架之RF频率 100K至200MHz。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中步骤(a)中之白金电极额外地包括一再沉积的侧壁;及该制程条件额外地包括一在约0埃/分至约300埃/分范围内之侧壁蚀刻率。24.一种制造包含白金电极之电容结构的方法,该方法包括的步骤为:a)提供一基材,其支撑一白金电极层及至少一沉积于该白金电极层的一经选择的部分上之罩幕层;b)蚀刻步骤(a)之该白金电极,其包括应用一包含氩气之蚀刻气体之电浆来产生该基材,其中该基材支撑一带有至少一沉积于该白金电极层的一经选择的部分上之罩幕层之白金电极层;及c)过度蚀刻步骤(b)之白金电极层,其包括应用一蚀刻气体之高密度电浆以产生一电容结构。25.如申请专利范围第24项所述之方法,其更包括在该过度蚀刻步骤(c)之后去除该至少一罩幕层的步骤。26.如申请专利范围第24项所述之方法,其更包括在该过度蚀刻步骤(c)期间去除该至少一罩幕层的步骤。27.如申请专利范围第24项所述之方法,其中步骤(a)的白金电极更包括一沉积在该白金电极之一经选择的部分上介于该罩幕层与该白金电极之间的保护层。28.如申请专利范围第24项所述之方法,其中由步骤(b)所产生之经蚀刻的白金电极层包括至少一形成于其上之再沉积遮盖物;及过度蚀刻步骤(c)将该至少一再沉积遮盖物从该经蚀刻的白金层上去除。29.如申请专利范围第24项所述之方法,其中由步骤(b)所产生之经蚀刻的白金电极层包括至少两个形成于其上之再沉积遮盖物及罩幕层系沉积于该经蚀刻的白金电极层之经选取的部分上介于两个遮盖物之间;及过度蚀刻步骤(c)将该二再沉积遮蔽盖物从该经蚀刻的白金层上去除。30.如申请专利范围第29项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(c)之后去除该至少一罩幕层的步骤。31.如申请专利范围第29项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(c)期间去除该至少一罩幕层的步骤。32.如申请专利范围第24项所述之方法,其中步骤(c)之高密度电浆的蚀刻气体包含氧气。33.如申请专利范围第24项所述之方法,其中步骤(c)之高密度电浆之蚀刻气体是从包含了氯气,氧气及其混合气体的组群中被选取的。34.如申请专利范围第24项所述之方法,其中步骤(c)之高密度电浆之蚀刻气体包含了氧气及氯气。35.如申请专利范围第24项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(c)之前在一具有一线圈感应器及一晶圆托架之高密度电浆室内沉积该包含步骤(b)之经蚀刻的白金电极层的步骤;并在下列的制程条件下于该高密度电浆室内实施过度蚀刻步骤(c)制程 参数蚀刻气体流 50至400sccm压力,mTorr 0.5至40 milliTorr线圈感应器之RF能量(瓦) 100至3000瓦晶圆托架之RF能量(瓦) 50至1500瓦白金电极晶圆的温度(℃) 20至500℃遮盖物蚀刻率(埃/分) 200至2000埃/分线圈感应器之RF频率 100K至200MHz晶圆托架之RF频率 100K至200MHz。36.如申请专利范围第35项所述之方法,其中步骤(a)中之白金电极额外地包括一再沉积的侧壁;及该制程条件额外地包括一在约0埃/分至约300埃/分范围内之侧壁蚀刻率。37.如申请专利范围第32项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(c)之前在一具有一线圈感应器及一晶圆托架之高密度电浆室内沉积该包含步骤(b)之经蚀刻的白金电极层的步骤;并在下列的制程条件下于该高密度电浆室内实施过度蚀刻步骤(c)制程 参数O2 高达100%体积压力,mTorr 0.5至40 milliTorr线圈感应器之RF能量(瓦) 100至3000瓦晶圆托架之RF能量(瓦) 50至1500瓦白金电极晶圆的温度(℃) 20至500℃遮盖物蚀刻率(埃/分) 200至2000埃/分线圈感应器之RF频率 100K至200MHz晶圆托架之RF频率 100K至200MHz。38.如申请专利范围第37项所述之方法,其中步骤(a)中之白金电极额外地包括一再沉积的侧壁;及该制程条件额外地包括一在约0埃/分至约300埃/分范围内之侧壁蚀刻率。39.如申请专利范围第32项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(c)之前在一具有一线圈感应器及一晶圆托架之高密度电浆室内沉积该包含步骤(b)之经蚀刻的白金电极层的步骤;并在下列的制程条件下于该高密度电浆室内实施过度蚀刻步骤(c)制程 参数Cl2 0至50%体积O2 高达100%体积压力,mTorr 0.5至40 milliTorr线圈感应器之RF能量(瓦) 100至3000瓦晶圆托架之RF能量(瓦) 50至1500瓦白金电极晶圆的温度(℃) 20至500℃遮盖物蚀刻率(埃/分) 200至2000埃/分线圈感应器之RF频率 100K至200MHz晶圆托架之RF频率 100K至200MHz。40.一种制造半导体元件的方法,该方法包括的步骤为:a)形成一光阻(resist)层,一绝缘层及一白金电极层于一基材上,该基材具有形成于其上之电路元件;b)蚀刻该绝缘层的一部分,其包括应用一蚀刻气体的电浆来穿透该绝缘层并将该部分的绝缘层从该白金电极层上去除以产生支撑该光阻层,剩下的绝缘层,及该白金电极层之基材;c)去除步骤(b)之光阻层以产生支撑该剩下的绝缘层,及该白金电极层之基材;d)蚀刻步骤(c)之白金电极层,其包括应用一包含氩气之蚀刻气体的电浆来产生该支撑沉积于一经蚀刻的白金电极层上之剩下的绝缘层之基材,该白金电极层具有至少一再沉积的遮盖物形成于其上;及e)过度蚀刻该经蚀刻的白金电极层,其包括应用一蚀刻气体的高密度电浆以将该再沉积的遮盖物从该经蚀刻的白金电极上去除并产生一并导体装置。41.如申请专利范围第41项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(e)之后去除剩下的绝缘层的步骤。42.如申请专利范围第40项所述之方法,其更包括在在过度蚀刻步骤(e)期间去除剩下的绝缘层的步骤。43.如申请专利范围第40项所述之方法,其中步骤(a)更包括了沉积一保护层于该白金电极层上介于该绝缘层与该白金电极层之间的步骤。44.如申请专利范围第40项所述之方法,其中由步骤(b)所形成之经蚀刻的白金电极层包括一对相对地形成于其上之再沉积遮盖物且罩幕层系沈积于该经蚀刻的白金电极层之上介于该对再沉积遮盖物之间;及过度蚀刻步骤(e)将该对再沈积遮盖物从该经蚀刻的白金层上去除。45.如申请专利范围第40项所述之方法,其中步骤(e)之高密度电浆的蚀刻气体包含氧气。46.如申请专利范围第40项所述之方法,其中步骤(c)之高密度电浆之蚀刻气体是从包含了氯气。47.如申请专利范围第40项所述之方法,其中步骤(c)之高密度电浆之蚀刻气体包含了氧气及氯气。48.如申请专利范围第40项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(e)之前在一具有一线圈感应器及一晶圆托架之高密度电浆室内沉积该包含步骤(d)之经蚀刻的白金电极层的步骤;并在下列的制程条件下于该高密度电浆室内实施过度蚀刻步骤(c)制程 参数蚀刻气体流 50至400sccm压力,mTorr 0.5至40 milliTorr线圈感应器之RF能量(瓦) 100至3000瓦晶圆托架之RF能量(瓦) 50至1500瓦白金电极晶圆的温度(℃) 20至500℃遮盖物蚀刻率(埃/分) 200至2000埃/分线圈感应器之RF频率 100K至200MHz晶圆托架之RF频率 100K至200MHz。49.如申请专利范围第48项所述之方法,其中白金电极层额外地包括一再沉积的侧壁;及该制程条件额外地包括一在约0埃/分至约300埃/分范围内之侧壁蚀刻率。50.如申请专利范围第45项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(e)之前在一具有一线圈感应器及一晶圆托架之高密度电浆室内沉积该包含步骤(d)之经蚀刻的白金电极层的步骤;并在下列的制程条件下于该高密度电浆室内实施过度蚀刻步骤(e)制程 参数O2 高达100%体积压力,mTorr 0.5至40 milliTorr线圈感应器之RF能量(瓦) 100至3000瓦晶圆托架之RF能量(瓦) 50至1500瓦白金电极晶圆的温度(℃) 20至500℃遮盖物蚀刻率(埃/分) 200至2000埃/分线圈感应器之RF频率 100K至200MHz晶圆托架之RF频率 100K至200MHz。51.如申请专利范围第50项所述之方法,其中该白金电极层额外地包括一再沉积的侧壁;及该制程条件额外地包括一在约0埃/分至约300埃/分范围内之侧壁蚀刻率。52.如申请专利范围第47项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(e)之前在一具有一线圈感应器及一晶圆托架之高密度电浆室内沉积该包含步骤(d)之经蚀刻的白金电极层的步骤;并在下列的制程条件下于该高密度电浆室内实施过度蚀刻步骤(e)制程 参数Cl2 0至50%体积O2 高达100%体积压力,mTorr 0.5至40 milliTorr线圈感应器之RF能量(瓦) 100至3000瓦晶圆托架之RF能量(瓦) 50至1500瓦白金电极晶圆的温度(℃) 20至500℃遮盖物蚀刻率(埃/分) 200至2000埃/分线圈感应器之RF频率 100K至200MHz晶圆托架之RF频率 100K至200MHz。53.如申请专利范围第52项所述之方法,其中该白金电极层额外地包括一再沉积的侧壁;及该制程条件额外地包括一在约0埃/分至约300埃/分范围内之侧壁蚀刻率。54.如申请专利范围第44项所述之方法,其中过度蚀刻步骤(e)更包括在去除该对再沉积遮盖物的同时去除掉剩下的绝缘层的至少一部分。55.一种蚀刻沉积于一基材上之白金电极层的方法,该方法包括的步骤为:a)提供一基材,其支撑一白金电极层,一形成于该白金电极层之上之绝缘层,及一在该绝缘层上之光阻(resist)层;b)蚀刻该绝缘层的一部分,其包括应用一蚀刻气体的电浆来穿透该绝缘层并将该部分的绝缘层从该白金电极层上去除以露出该白金电极层的一部分并产生支撑白金电极层,一在该白金电极层之上之剩下的绝缘层,及该在绝缘层上之光阻(resist)层之基材;c)蚀刻步骤(b)之白金电极层的裸露部分,其包括应用一包含氩气之蚀刻气体的电浆,以产生支撑一经蚀刻的白金电极层,及在该经蚀刻的白金电极层上之剩下的绝缘层之基材,该白金电极层具有至少一再沉积的遮盖物形成于其上;及d)过度蚀刻步骤(c)之该经蚀刻的白金电极层,其包括应用一蚀刻气体的高密度电浆用以将该再沉积的遮盖物从该经蚀刻的白金电极上去除。56.如申请专利范围第55项所述之方法,其更包括在蚀刻步骤(c)之前去除剩下的绝缘层的步骤。57.如申请专利范围第56项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(d)之后去除剩下的绝缘层的步骤。58.如申请专利范围第56项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(d)期间去除剩下的绝缘层的步骤。59.如申请专利范围第55项所述之方法,其中步骤(a)更包括了提供一保护层于该白金电极层上介于该绝缘层与该白金电极层之间的步骤。60.如申请专利范围第57项所述之方法,其中步骤(a)更包括了提供一保护层于该白金电极层上介于该绝缘层与该白金电极层之间的步骤。61.如申请专利范围第60项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(d)之后去除该保护层的步骤。62.如申请专利范围第55项所述之方法,其中步骤(d)之高密度电浆的蚀刻气体包含氧气。63.如申请专利范围第55项所述之方法,其中步骤(d)之高密度电浆之蚀刻气体是从包含了氯气,氧气及其混合气体的组群中被选取的。64.如申请专利范围第55项所述之方法,其中步骤(d)之高密度电浆之蚀刻气体是从包含了氧气及氯气。65.如申请专利范围第55项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(d)之前在一具有一线圈感应器及一晶圆托架之高密度电浆室内沉积该包含步骤(c)之经蚀刻的白金电极层的步骤;并在下列的制程条件下于该高密度电浆室内实施过度蚀刻步骤(d)制程 参数蚀刻气体流 50至400sccm压力,mTorr 0.5至40 milliTorr线圈感应器之RF能量(瓦) 100至3000瓦晶圆托架之RF能量(瓦) 50至1500瓦白金电极晶圆的温度(℃) 20至500℃遮盖物蚀刻率(埃/分) 200至2000埃/分线圈感应器之RF频率 100K至200MHz晶圆托架之RF频率 100K至200MHz。66.如申请专利范围第65项所述之方法,其中白金电极层额外地包括一再沉积的侧壁;及该制程条件额外地包括一在约0埃/分至约300埃/分范围内之侧壁蚀刻率。67.如申请专利范围第62项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(d)之前在一具有一线圈感应器及一晶圆托架之高密度电浆室内沉积该包含步骤(c)之经蚀刻的白金电极层的步骤;并在下列的制程条件下于该高密度电浆室内实施过度蚀刻步骤(d)制程 参数O2 高达100%体积压力,mTorr 0.5至40 milliTorr线圈感应器之RF能量(瓦) 100至3000瓦晶圆托架之RF能量(瓦) 50至1500瓦白金电极晶圆的温度(℃) 20至500℃遮盖物蚀刻率(埃/分) 200至2000埃/分线圈感应器之RF频率 100K至200MHz晶圆托架之RF频率 100K至200MHz。68.如申请专利范围第67项所述之方法,其中该白金电极层额外地包括一再沉积的侧壁;及该制程条件额外地包括一在约0埃/分至约300埃/分范围内之侧壁蚀刻率。69.如申请专利范围第64项所述之方法,其更包括在过度蚀刻步骤(d)之前在一具有一线圈感应器及一晶圆托架之高密度电浆室内沉积该包含步骤(c)之经蚀刻的白金电极层的步骤;并在下列的制程条件下于该高密度电浆室内实施过度蚀刻步骤(d)制程 参数Cl2 0至50%体积O2 50至100%体积压力,mTorr 0.5至40 milliTorr线圈感应器之RF能量(瓦) 100至3000瓦晶圆托架之RF能量(瓦) 50至1500瓦白金电极晶圆的温度(℃) 20至500℃遮盖物蚀刻率(埃/分) 200至2000埃/分线圈感应器之RF频率 100K至200MHz晶圆托架之RF频率 100K至200MHz。70.如申请专利范围第69项所述之方法,其中该白金电极层额外地包括一再沉积的侧壁;及该制程条件额外地包括一在约0埃/分至约300埃/分范围内之侧壁蚀刻率。71.如申请专利范围第55项所述之方法,其中过度蚀刻步骤(d)更包括在去除该对再沉积遮盖物的同时去除掉剩下的绝缘层的至少一部分。图式简单说明:第一图为一半导体晶圆一侧视图,其具有一半导体基材,一沉积于该基材上之阻障层,一沉积于该阻障层上之白金电极层,一沉积于该白金电极层上之绝缘层,及一沉积于该绝缘层上之光阻层;第二图为第一图图之半导体晶圆的侧视图,其额外地包括一沉积在该绝缘层与该白金电及层之间的保护层;第三图为一先前技艺之电浆处理设备的垂直剖面图,其包括一带有用来强化电浆之电磁单元之电浆蚀刻反应器;第四图为由一磁场所产生并被显示为绕着一中心轴转动之通量的一图表;第五图为第一图之半导体晶圆于蚀刻并从该白金电极层的表面去除一部分的绝缘层以露出该白金电极层之后的侧视图。第六图为第二图之半导体晶圆于蚀刻并从该白金电极层的表面去除一部分的绝缘层以露出该白金电极层之后的侧视图;第七图为第五图之半导体晶圆于该光阻层从该绝缘层的一部分被去除之后的侧视图,该被去除的光阻层是以虚线来表示;第八图为第六图之半导体晶圆于蚀刻及从该白金电极层去除一部分的保护层之后,及在从该绝缘层一部分上去除该光阻层之后的一侧视图,被去除的光阻层是以虚线来表示;第九图为第七图之半导体晶圆于白金层已被蚀刻以产生一具有再沉积的遮盖物之已蚀刻的白金层电极层之后的侧视图,该再沉积的遮盖物是在白金电极层的蚀刻期间产生的;第十图为第八图之半导体晶圆于白金层已被蚀刻以产生一具有再沉积的遮盖物之已蚀刻的白金层电极层之后的侧视图,该再沉积的遮盖物是在白金电极层的蚀刻期间产生的;第十一图为第九图之半导体晶圆的侧视图,其绝缘层被去除以显示该再沉积的遮盖物延伸于该经蚀刻的白金电极层之上;第十二图为第十图之半导体晶圆的侧视图,其绝缘层及保护层被去除以显示该再沉积的遮盖物延伸于该经蚀刻的白金电极层之上;第十三图为第九图之半导体晶圆于该经蚀刻的白金电极层已被过度蚀刻以去除该再沉积的遮盖物之后的侧视图并显示出该绝缘层的一部分已于该经蚀刻的白金电极的过度蚀刻期间被去除;第十四图为第十图之半导体晶圆于该经蚀刻的白金电极层已被过度蚀刻以去除该再沉积的遮盖之后的侧视图并显示出该绝缘层的一部分已于该经蚀刻的白金电极的过度蚀刻期间被去除;第十五图A为第十三图之半导体晶圆于该剩下的绝缘层已从该经蚀刻的白金电极层的表面上被去除之后的侧视图;第十五图B为第十三图之半导体晶圆于该剩下的绝缘层已从该经蚀刻的白金电极层的表面上被去除之后的侧视图且该阻障层已被蚀刻;第十六图A为第十四图之半导体晶圆于该剩下的绝缘层及该保护层已从该经蚀刻的白金电极层的表面上去除之后的侧视图;第十六图B为第十四图之半导体晶圆于该剩下的绝缘层及该保护层已从该经蚀刻的白金电极层的表面上被去除之后的侧视图且该阻障层已被蚀刻;第十七图为一感应地耦合的RF电浆反应器的简化视图,该反应器可被应用于该经蚀刻的白金电极层的过度蚀刻中,以去除与其相关连之该再沉积遮盖物;第十八图为另一感应地耦合的RF电浆反应器的简化视图,该反应器可被应用于该经蚀刻的白金电极层的过度蚀刻中,以去除与其相关连之该再沉积遮盖物;第十九图为一照片其显示该例子于该白金电极层依据列在该例子中之制程条件被蚀刻之后之一试验半导体晶圆,并展示于该白金电极层蚀刻期间形成的再沉积遮盖物;第二十图为一照片其显示第十九图之试验半导体晶圆于该经蚀刻的白金电极层依据列在该例子中之制程条件被过度蚀刻以去除该再沉积遮盖物并产生一无遮盖物之经蚀刻的白金电极层之后的平面图;第二十一图为一照片其显示第二十图之试验半导体晶圆于氧化物光罩被去除之后的平面图;第二十二图为一代表在第十九图的照片中的平面的图式,且个别的部分以一标号来标记;第二十三图为一代表在第二十图的照片中的平面的图式,且个别的部分以一标号来标记;及第二十四图为一代表在第二十一图的照片中的平面的图式,且个别的部分以一标号来标记。 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