| 主权项 |
1.一种矽控整流器(Semiconductor-Controlled Rectifier, SCR)元件,具有建置于第一型半导体基底上之至少一环形单元体;该环形单元体包括:一第二型井区,位于该第一型半导体基底内;一第一型掺杂区,位于该第二型井区内;一第二型接触环,位于该第二型井区内,环绕该第一型掺杂区;以及一第二型掺杂环,位于该第一型半导体基底内,环绕该第二型井区。2.如申请专利范围第1项所述之矽控整流器元件,尚包括:一第一型接触环,位于该第一型半导体基底内,环绕该至少一环形单元体;以及一第二型护环,位于该第一型半导体基底内,环绕该第一型接触环。3.如申请专利范围第2项所述之矽控整流器元件,其中,该第一型是P型,该第二型是N型。4.如申请专利范围第2项所述之矽控整流器元件,其中,该第一型是N型,该第二型是P型。5.如申请专利范围第1项所述之矽控整流器元件,其中,该第二型接触环与该第二型掺杂环呈多边形。6.如申请专利范围第1项所述之矽控整流器元件,其中,该第二型接触环与该第二型掺杂环呈圆形。7.如申请专利范围第1项所述之矽控整流器元件,其中,该第一型掺杂区位于该第二型井区中央处。8.一种矽控整流器元件,具有建置于第一型半导体基底上之至少一环形单元体;该环形单元体包括:一第二型浮接井区,位于该第一型半导体基底内;一第一型掺杂区,位于该第二型井区内;以及一第二型掺杂环,位于该第一型半导体基底内,环绕该第二型浮接井区。9.如申请专利范围第8项所述之矽控整流器元件,尚包括:一第一型接触环,位于该第一型半导体基底内,环绕该至少一环形单元体;以及一第二型护环,位于该第一型半导体基底内,环绕该第一型接触环。10.如申请专利范围第9项所述之矽控整流器元件,其中,该第一型是P型,该第二型是N型。11.如申请专利范围第9项所述之矽控整流器元件,其中,该第一型是N型,该第二型是P型。12.如申请专利范围第8项所述之矽控整流器元件,其中,该第二型掺杂环呈多边形。13.如申请专利范围第8项所述之矽控整流器元件,其中,该第二型掺杂环呈圆形。14.如申请专利范围第8项所述之矽控整流器元件,其中,该第一型掺杂区位于该第二型井区中央处。图式简单说明:第一图系显示此习知LSCR形成于半导体基底内的布局顶视图;第二图系显示此习知LSCR形成于半导体基底内之剖面图;第三图系显示根据本发明第一较佳实施例之环状SCR元件之布局顶视图;第四图系显示根据本发明第二较佳实施例之环状SCR元件之布局顶视图;第五图系显示根据本发明第三较佳实施例之环状SCR元件之布局顶视图;以及第六图所示为根据本发明第四较佳实施例之环状SCR元件之布局顶视图。 |
