| 主权项 |
1.一种功率电晶体之导线架连接方法,其主要系依序包含有:定位步骤,其系将一晶片定位于一导线架上,其中,该晶片上表面形成有分离之源极导接区及闸极导接区,下表面则形成汲极导接区,且该导线架包含有一供晶片设置之基板,一与基板连接之汲极脚位,一分离定位于基板侧边之源极脚位及闸极脚位等构件;导接步骤,其系将一导片接合于晶片之源极导接区与导线架之源极脚位间,俾使源极导接区与源极脚位可经由该导片而导接,而晶片之汲极导接区则透过基板与汲极脚位相导接,同时,该导片上另延伸形成一副导片,并令该副导片系接合于闸极导接区与闸极脚位间,俾使该闸极导接区与闸极脚位可经由该副导片而导接;以及绝缘切割步骤,其系将该导片延伸连结副导片的部分予以切割,使该源极脚位与闸极脚位绝缘者。2.依据申请专利范围第1项所述功率电晶体之导线架连接方法,其中,该源极脚位、闸极脚位与导片、副导片之接合处形成凹沟者。图式简单说明:第一图所示系习知功率电晶体之导线架连接步骤流程图。第二图所示系习知功率电晶体之导线架连接示意图。第三图所示系习知另一功率电晶体之导线架连接步骤流程图。第四图所示系习知另一功率电晶体之导线架连接示意图。第五图所示系本发明一较佳实施例之步骤流程图。第六图所示系本发明一较佳实施例之俯视示意图。第七图所示系本发明一较佳实施例之另一俯视示意图。第八图所示系第四图之VI-VI剖视图。第九图所示系第四图之VII-VII剖视图。 |
