| 主权项 |
1.一种金属有机化学气相沉积方法,其特征为包括下列步骤:侦测一参数,其可转换成从至少一个来源容器1a、1b及1c提供的有机金属来源气体之莫耳数;当参数变得小于在反应器9的基材10上形成由有机金属来源组成的金属薄膜所需之最小値时,加热包含于来源容器中的来源;及定量地提供有机金属来源气体至反应器,藉此于基材上形成薄膜。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中可转换成莫耳数的参数为从来源容器提供的有机金属来源气体之压力。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中可转换成莫耳数的参数为从来源容器提供的有机金属来源气体之浓度。4.一种金属有机化学气相沉积装置,其特征为其包括:至少一种来源容器la、lb及lc,以提供有机金属来源气体;侦测设备11a、11b、11c、4a、4b、4c、13a、13b、13c、14a、14b、14c,以侦测一参数,其可转换成从该来源容器提供的有机金属来源气体之莫耳数;及来源调整设备MTCD,当由该侦测设备侦测的参数变得小于在反应器9的基材10上形成由有机金属来源组成的金属薄膜所需的最小値时,用以加热包含在该来源容器中的有机金属来源,其中定量地提供有机金属来源气体至反应器,藉此于基材上形成薄膜。5.根据申请专利范围第4项之装置,其中该侦测设备包括计量器4a、4b、4c、11a、11b、11c,其侦测从该来源容器提供的有机金属来源气体之压力。6.根据申请专利范围第5项之装置,其中该压力计量器4a、4b及4c连接至该来源容器,以侦测该来源容器中的气体压力。7.根据申请专利范围第5项之装置,其中该压力计量器11a、11b及11c布置在用来将从该来源容器提供的气体携带至反应器之管线的中间,其用以侦测管线中的压力气体。8.根据申请专利范围第4项之装置,其中该侦测设备包括压力计量器13a、13b、13c、14a、14b、14c,以侦测从该来源容器提供的有机金属来源气体之每单位体积的质量。9.根据申请专利范围第8项之装置,其中该浓度计量器测量从该来源容器提供的有机金属来源气体之光吸收特征,藉此侦测浓度。10.根据申请专利范围第9项之装置,其中该浓度计量器包括光发射设备15,及接收由该光发射设备发射出的光之光接收设备17,而装设在该来源容器中,及由该光发射设备发射出的光透过存在该来源容器上部之有机金属来源气体而由该光接收设备接收,藉此测量气体的光吸收持徵。11.根据申请专利范围第9项之装置,其中该浓度计量器包括光发射设备18,及用以接收由该光发射设备20发射出的光之光接收设备18,而布置在沿着携带,至反应器,从该来源容器提供的气体之管线的中间,及由该光发射设备发射出的光透过管线中的气体而由该光接收设备接收,藉此测量气体的光吸收特征。12.根据申请专利范围第8项之装置,其中该浓度计量器13a、13b、13c连接至该来源容器以侦测该来源容器中的气体浓度。13.根据申请专利范围第8项之装置,其中该浓度计量器14a、14b、14c布置在用来将从该来源容器提供的气体携带至反应器之管线的中间,其用以侦测管线中的气体浓度。图式简单说明:第一图为第一个具体实施例之基本布置的系统图示,其用以解释根据本发明之金属有机化学气相沉积方法及装置;第二图A及第二图B各别地为第一图显示的来源容器之截面图,及沿着线2B-2B截取的截面图;第三图为于本发明的第一个具体实施例中显示的温度调整操作流程图;第四图为用以解释本发明的第二个个具体实施例之系统图示;第五图为用以解释本发明的第三个具体实施例之系统图示;第六图A及第六图B每个为用以测量来源气体浓度的浓度计量器之实施例的截面图;第七图为用以解释本发明的第四个具体实施例之系统图示;第八图为传统化学气相沉积装置之布置的系统图示;及第九图为另一个传统化学气相沉积装置之布置的系统图示。 |
