发明名称 晶片尺寸级覆晶封装构造
摘要 一种晶片尺寸级覆晶封装构造,该构造主要包含一晶片、一软板及一封胶体。该晶片之正面设有一黏胶区及一焊垫区,而该软板设有一黏胶区、数个盲孔〔blind via〕及该盲孔底部设有引线〔trace〕。当该晶片及软板利用软黏胶材料〔soft-adhesion material〕进行黏贴时,该晶片之焊垫对应于该软板之盲孔,并在晶片之焊垫上形成球垫〔ball bump〕供电性连接于晶片及引线。该封胶体则包覆于该晶片之正面及周围,以强化该覆晶封装构造。
申请公布号 TW452193 申请公布日期 2001.08.21
申请号 TW089208684 申请日期 2000.05.20
申请人 南茂科技股份有限公司 发明人 鲁明朕;蔡润波;林金龙
分类号 H01L23/28 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 陈启舜 高雄巿苓雅区中正一路二八四号十二楼
主权项 1.一种覆晶封装构造,该构造包含:一晶片,其正面设有一黏胶区及一焊垫区,该焊垫区包含数个焊垫围绕于该黏胶区之周缘,将数个球垫打在焊垫上;一软板,其第一表面设有一黏胶区及一盲孔区分别对应于该晶片之黏胶区及焊垫区,该盲孔区包含数个盲孔及其底部设有引线一端,而该引线另一端则在软板第二表面延伸形成数个外接脚;及一软黏胶层,其黏贴于该晶片之黏胶区及其相互对应软板之黏胶区之间,此时,该晶片之球垫则置入盲孔内而形成电性连接于焊垫及引线一端,使得晶片之焊垫连接于软板之外接脚;其中该软黏胶层位于晶片及软板之间供吸收由热膨胀系数不匹配所引起的切变力及热循环应力。2.依申请专利范围第1项所述之覆晶封装构造,其中另包含一封胶体,其在进行封胶注模制程时,将液态封胶灌入该晶片及软板之间形成该封胶体,其以之细现象作用进入晶片及软板之间的间隙,该封胶体包覆密封于该晶片之正面及周围供吸收由外力引起的应力,因而增加产品信赖度。图式简单说明:第一图:习用美国专利第6,020,220号之半导体封装构造之侧视图;第二图:本创作较佳实施例半导体封装构造之上视图;第三图:本创作第二图沿3-3线之剖视图;及第四图:本创作第三图之局部放大图。
地址 新竹科学工业园区新竹县研发一路一号