发明名称 减小互补式金属半导体氧化物之短路电流的电路及其线路布局
摘要 本发明揭示一种减小互补式金属半导体氧化物之电力消耗的电路及其线路布局。藉着在输出信号源与互补式金属半导体氧化物之间设置一反及闸、一反或闸、一第一反相器与一第二反相器,当输出信号源的值由l变换为O或由O变换为l时,可避免PMOS与NMOS之间产生短路电流,以有效地减少电力消耗。特别是,本发明系关于一种可有效地避免传导延迟之线路布局,以确实减小电力之不必要的消耗。
申请公布号 TW451552 申请公布日期 2001.08.21
申请号 TW089121486 申请日期 2000.10.13
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 林春生
分类号 H03K19/00;H03K19/20 主分类号 H03K19/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种减小互补式金属半导体氧化物之短路电流 的电路,包含: 一反及闸; 一反或闸; 一输出信号源,分别连接至该反及闸与该反或闸的 输入端; 一互补式金属半导体氧化物,具有一PMOS及一NMOS,该 PMOS的汲极连接至该NMOS的汲极; 一第一反相器,其输出分别连接至该PMOS的闸极与 该反及闸的输入端; 一第二反相器,其输出分别连接至该NMOS的闸极与 该反或闸的输入端; 其中该反或闸的输出系连接至该第一反相器的输 入端,且该反及闸的输出系连接至该第二反相器的 输入端,经由该反或闸.反及闸.第一反相器及第二 反相器的作用,当输出信号源的値由1变换为0或由0 变换为1时,可避免该PMOS与该NMOS之间产生短路电流 ,以有效地减少电力消耗。2.一种减小互补式金属 半导体氧化物之短路电流的线路布局,其特征在于 一输出信号源的第一端经由一反或闸与一第一反 相器而连接至一PMOS,PMOS的尾端与输出信号源的第 二端一同接至一反及闸的输入端,反及闸的输出端 连接至一第二反相器,第二反相器的输出连接至 NMOS,然后NMOS的尾端与输出信号源的第一端一同接 至反或闸的输入端,藉此当输出信号源的値由1变 换为0或由0变换为1时,可避免该PMOS与该NMOS之间产 生短路电流,以有效地减少电力消耗。图式简单说 明: 第一图指出习知电路中之输出信号源与PMOS及NMOS 之配置; 第二图A与第二图B为图形,分别说明在习知电路中 当输出信号源之値由1变换为0及由0变换为1时之情 形; 第三图指出依据本发明的电路中之输出信号源与 PMOS及NMOS之配置; 第四图A与第四图B为图形,分别说明在本发明之电 路中当输出信号源之値由1变换为0及由0变换为1时 之情形; 第五图指出第三图之电路的一种线路布局;及 第六图指出第三图之电路的另一种线路布局。
地址 日本