| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含: 依序形成绝缘膜、互相平行之多数字元线、闸极 绝缘膜、及第1导电型半导体层;及 前述绝缘膜其表面,对于前述字元线之表面予以平 坦化,而前述第1导电型半导体层,乃形成与前述字 元线直交,且由互相平行之多数第2导电型高浓度 不纯物扩散层所构成之位元线。2.如申请专利范 围第1项之半导体装置;其中, 形成在第1导电型半导体层之第2导电型高浓度不 纯物扩散层间,而在邻接于该第2导电型高浓度不 纯物扩散层之领域,形成第2导电型低浓度不纯物 扩散层。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置 ;其中, 在形成于第1导电型半导体层之第2导电型高浓度 不纯物扩散层之表面,形成自助对准矽化物膜。4. 如申请专利范围第1项之半导体装置;其中, 在互相邻接之2条第2导电型高浓度不纯物扩散层, 与和该等第2导电型高浓度不纯物扩散层直交之1 条字元线之交差部,形成多数个单元电晶体,该等 单元电晶体系以前述2条第2导电型高浓度不纯物 扩散层作为源极/汲极领域;且以该等第2导电型高 浓度不纯物扩散层间之第1导电型半导体层作为通 道领域;又,以前述1条字元线作为闸极,而该等单元 电晶体之中至少1个通道领域,设定为第1导电型不 纯物浓度比第1导电型半导体层为高。5.一种半导 体装置,其系积层多数如申请专利范围第1项之半 导体装置而成。6.一种半导体装置之制造方法,包 含: (a)、形成绝缘膜及字元线,且将前述绝缘膜之表面 ,对前述字元线之表面作平垣化之制程; (b)、在该等绝缘膜及字元线之上,形成闸极绝缘膜 与第1导电型半导体层之制程; (c)、在该半导体层上,形成与前述字元线直交,且 互相平行之多数线状绝缘膜之制程; (d)、使用该线状绝缘膜作为屏罩,且将第2导电型 不纯物注入半导体层形成多数第2导电型低浓度不 纯物扩散层之制程; (e)、在前述线状绝缘膜,形成绝缘性之侧壁隔片, 且使用该等线状绝缘膜及侧壁隔片作为屏罩,且将 第2导电型不纯物注入半导体层,而形成多数第2导 电型高浓度不纯物扩散层之制程; (f)、使用前述线状绝缘膜及侧壁隔片作为屏罩,在 前述第2导电型高浓度不纯物扩散层之表面,形成 自动对准矽化物膜之制程;及, (g)、在含有前述线状绝缘膜及侧壁隔片之前述半 导体层上,形成层间绝缘膜之制程。7.如申请专利 范围第6项之半导体装置之制造方法;在前述(a)制 程中,形成绝缘膜,且在该绝缘膜,互相平行形成多 数可埋入字元线之沟槽,并在具有该沟槽之绝缘膜 上,积层用以构成字元线的导电材,且进行回蚀处 理,至绝缘膜之表面露出为止。8.如申请专利范围 第6项之半导体装置之制造方法;在(b)制程中, 形成绝缘膜; 积层导电材; 将该导电材作图案化,形成字元线; 在该字元线上,再度积层绝缘膜;及 回蚀处理该绝缘膜,至字元线之表面露出为止。9. 如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法, 在(b)制程中, 利用CVD法形成半导体层; 将第1导电型不纯物作离子注入该半导体层; 使半导体层结晶化;藉此, 形成第1导电型半导体层。10.如申请专利范围第6 项之半导体装置之制造方法,在(b)制程中, 掺杂第1导电型不纯物,以形成半导体层; 其后作结晶化;藉此, 形成第1导电型半导体层。11.一种半导体装置之制 造方法,包含: (a)、形成绝缘膜及字元线,且将前述绝缘膜之表面 对于前述字元线之表面作平坦化之制程; (b)、在该等绝缘膜及字元线之上,形成闸极绝缘膜 与第1导电型半导体层之制程; (c)、在该半导体层上,形成与前述字元线直交,且 互相平行之多数线状绝缘膜之制程; (d)、使用该线状绝缘膜作为屏罩,且将第2导电型 不纯物注入半导体层,而形成多数第2导电型高浓 度不纯物扩散层之制程, 依序形成绝缘膜、互相平行之多数字元线、闸极 绝缘膜、以及第1导电型半导体层,且前述绝缘膜 乃将其表面对前述字元线之表面作平坦化处理,而 前述第1导电型半导体层形成与前述字元线直交, 且互相平行之由多数第2导电型高浓度不纯物扩散 层所构成的位元线。12.如申请专利范围第11项之 半导体装置之制造方法,在(a)制程中, 形成绝缘膜; 在该绝缘膜,形成互相平行可埋入字元线之多数沟 槽; 在具有该沟槽之绝缘膜上,积层用以构成字元线之 导电材;及 进行回蚀处理至绝缘膜之表面露出为止。13.如申 请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,在(a) 制程中, 形成绝缘膜; 积层导电材; 使该导电材图案化,而形成字元线; 在字元线上,再度积层绝缘膜; 蚀刻该绝缘膜至字元线之表面露出为止。14.如申 请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,在(b) 制程中, 利用CVD法形成半导体层; 将第1导电型不纯物作离子注入该半导体层; 使半导体层结晶化;藉此, 形成第1导电型半导体层。15.如申请专利范围第11 项之半导体装置之制造方法,在(b)制程中, 将第1导电型不纯物作掺杂,而形成半导体层; 其后,利用结晶化; 形成第1导电型半导体层。图式简单说明: 第一图系表示本发明之半导体装置的实施例之逆 平面单元构造的ROM元件阵剖之要部的概略性透视 图; 第二图系用以说明第一图之逆平面单元构造的ROM 元件阵列之制程的要部概略性截面制程图; 第三图系表示第一图之逆平面单元构造之ROM元件 阵列的积层构造之要部的概略性透视图; 第四图系表示本发明之半导体装置的另一实施例 之逆平面单元构造的ROM元件阵列之要部的概略性 透视图; 第五图系表示本发明之半导体装置之另一实施例 之逆平面单元构造的ROM元件阵列之积层构造的要 部之概略性透视图; 第六图系表示本发明之半导体装置的再另一实施 例之逆平面单元构造的ROM元件阵列之要部的概略 性透视图; 第七图系表示习知之ROM的元件阵列之要部的概略 性平面图; 第八图系第七图之元件阵列的X-X'线截面图; 第九图系包含第七图之元件阵列的NOR型ROM之等效 电路图; 第十图系表示习知之另一ROM的元件阵列之要部的( a)、概略性平面图,(b)等效电路图,(c)、A-A'线截面 图,(d)、C-C'线截面图。 |
