发明名称 积体电路封装单元分割方法
摘要 一种积体电路封装单元分割方法,其可用以将复数个以成批方式形成于同一个阵列式基底上的积体电路封装单元,例如为薄型球栅阵列式、或四边形平面无导脚式封装单元,分割成个别之封装单元;但不会造成临时性之电镀导线或内导脚支撑杆线有切除不净之问题。本方法的特点在于采用二段式切割程序;其中第一个切割程序系采用大宽度之切割刀来进行切割动作,而第二个切割程序中则改采用小宽度之切割刀来进行切割动作。第一个切割程序中所使用之大宽度切割刀可使得对位易于控制,不致发生对位偏移之情况;而第二个切割程序中所使用之小宽度切割刀则可使得现有之封装区域的布局面积不致于被减小。
申请公布号 TW451339 申请公布日期 2001.08.21
申请号 TW089120349 申请日期 2000.09.30
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 吴集铨;黄建屏
分类号 H01L21/304;H01L21/78 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 陈昭诚 台北巿武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种积体电路封装单元分割方法,系用以将复数 个以成批方式建构于单一个矩阵式基底上的积体 电路封装单元分割成个别之封装单元;该些积体电 路封装单元系已封装于一连续之封装胶体之中;该 矩阵式基底上系预先定义出复数个封装区域,且形 成有一临时性之导电线段结构于该些封装区域之 分界线上; 此积体电路封装单元分割方法包含以下步骤: (1)采用一第一切割刀来进行一第一切割程序;其中 该第一切割刀具有一第一宽度,此第一宽度至少大 于该临时性之导电线段结构的宽度;且其中该第一 切割刀之切割线系大致对准至该临时性之导电线 段结构,并仅切入该矩阵式基底之中、但不切入至 该连续之封装胶体之中,直至大致将该临时性之导 电线段结构完全切除为止;以及 (2)采用一第二切割刀来进行一第二切割程序;其中 该第二切割刀具有一第二宽度,且此第二宽度小于 第一宽度;且其中该第二切割刀之切割线系大致对 准至该些封装区域之分界线,并直接切入至该连续 之封装胶体之中,直至切穿该连续之封装胶体为止 。2.如申请专利范围第1项所述之积体电路封装单 元分割方法,其中该些积体电路封装单元为TFBGA封 装单元。3.如申请专利范围第2项所述之积体电路 封装单元分割方法,其中该矩阵式基底为一矩阵式 基板。4.如申请专利范围第2项所述之积体电路封 装单元分割方法,其中该临时性之导电线段结构为 一格栅状之电镀导线。5.如申请专利范围第1项所 述之积体电路封装单元分割方法,其中该些积体电 路封装单元为QFN封装单元。6.如申请专利范围第5 项所述之积体电路封装单元分割方法,其中该矩阵 式基底为一矩阵式导线架,其具有一置晶区和复数 个内导脚。7.如申请专利范围第6项所述之积体电 路封装单元分割方法,其中该临时性之导电线段结 构为一格栅状之支撑杆线,用以支撑该些内导脚。 8.一种TFBGA封装单元分割方法,系用以将复数个以 成批方式建构于单一个矩阵式基板上的TFBGA封装 单元分割成个别之封装单元;该些TFBGA封装单元系 已封装于一连续之封装胶体之中;该矩阵式基板上 系预先定义出复数个封装区域,且形成有一临时性 之电镀导线于该些封装区域之分界线上; 此TFBGA封装单元分割方法包含以下步骤: (1)采用一第一切割刀来进行一第一切割程序;其中 该第一切割刀具有一第一宽度,此第一宽度至少大 于该电镀导线的宽度;且其中该第一切割刀之切割 线系大致对准至该电镀导线,并仅切入该矩阵式基 板之中、但不切入至该连续之封装胶体之中,直至 大致将该电镀导线完全切除为止;以及 (2)采用一第二切割刀来进行一第二切割程序;其中 该第二切割刀具有一第二宽度,且此第二宽度小于 第一宽度;且其中该第二切割刀之切割线系大致对 准至该些封装区域之分界线,并直接切入至该连续 之封装胶体之中,直至切穿该连续之封装胶体为止 。9.一种QFN封装单元分割方法,系用以将复数个以 成批方式建构于单一个矩阵式导线架上的QFN封装 单元分割成个别之封装单元;该些QFN封装单元系已 封装于一连续之封装胶体之中;该矩阵式导线架上 系预先定义出复数个封装区域,且形成有一临时性 之内导脚支撑杆线于该些封装区域之分界线上; 此QFN封装单元分割方法包含以下步骤: (1)采用一第一切割刀来进行一第一切割程序;其中 该第一切割刀具有一第一宽度,此第一宽度至少大 于该内导脚支撑杆线的宽度;且其中该第一切割刀 之切割线系大致对准至该内导脚支撑杆线,并仅切 入该矩阵式导线架之中、但不切入至该连续之封 装胶体之中,直至大致将该内导脚支撑杆线完全切 除为止;以及 (2)采用一第二切割刀来进行一第二切割程序;其中 该第二切割刀具有一第二宽度,且此第二宽度小于 第一宽度;且其中该第二切割刀之切割线系大致对 准至该些封装区域之分界线,并直接切入至该连续 之封装胶体之中,直至切穿该连续之封装胶体为止 。图式简单说明: 第一图A显示一典型之TFBGA矩阵式基板之上视示意 图; 第一图B显示一尚未切割之TFBGA封装单元总合结构 体之剖面示意图; 第一图C为一剖面结构示意图,其中显示一批切割 完成之TFBGA封装单元; 第一图D为一上视示意图,其中显示TFBGA封装单元切 割程序中,发生切割刀对位偏差的情况; 第一图E为一上视示意图,其中显示一切割完成之 TFBGA封装单元中,由残留之电镀导线所造成之短路 问题; 第二图A显示一典型之QFN矩阵式基板之上视示意图 ; 第二图B显示一尚未切割之QFN封装单元总合结构体 之剖面示意图; 第二图C为一剖面结构示意图,其中显示一批切割 完成之QFN封装单元; 第二图D为一上视示意图,其中显示QFN封装单元切 割程序中,发生切割刀对位偏差的情况; 第二图E为一上视示意图,其中显示一切割完成之 QFN封装单元中,由残留之内导脚支撑杆线所造成之 短路问题; 第三图A至第三图C为剖面结构示意图,其用以显示 本发明之之第一实施例中,用来分割TFBGA封装单元 的各个步骤; 第四图A至第四图C为剖面结构示意图,其用以显示 本发明之第二实施例中,用来分割QFN封装单元的各 个步骤。
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