发明名称 |
DESARROLLO DE CRISTALES DE CARBURO DE SILICIO INCOLOROS. |
摘要 |
LOS GRANDES MONOCRISTALES DE CARBURO DE SILICIO SE CULTIVAN EN UN SISTEMA DE HORNO DE SUBLIMACION. LOS CRISTALES SE CULTIVAN COMPENSANDO LOS NIVELES DE IMPURIFICADORES TIPO P Y TIPO N (A SABER, NIVELES MAS O MENOS IGUALES DE LOS DOS IMPURIFICADORES) PARA OBTENER UN CRISTAL ESENCIALMENTE INCOLORO. EL CRISTAL SE PUEDE TALLAR Y PULIR A MODO DE GEMAS SINTETICAS CON UNA RESISTENCIA Y DUREZA EXTRAORDINARIAS, Y UN BRILLO IGUAL O MAYOR QUE LA DEL DIAMANTE.
|
申请公布号 |
ES2157556(T3) |
申请公布日期 |
2001.08.16 |
申请号 |
ES19970905633T |
申请日期 |
1997.01.24 |
申请人 |
CREE, INC. |
发明人 |
CARTER, CALVIN, H.;TSVETKOV, VALERI, F.;GLASS, ROBERT, C. |
分类号 |
C30B29/36;C30B23/00;(IPC1-7):C30B23/00 |
主分类号 |
C30B29/36 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|