发明名称 DESARROLLO DE CRISTALES DE CARBURO DE SILICIO INCOLOROS.
摘要 LOS GRANDES MONOCRISTALES DE CARBURO DE SILICIO SE CULTIVAN EN UN SISTEMA DE HORNO DE SUBLIMACION. LOS CRISTALES SE CULTIVAN COMPENSANDO LOS NIVELES DE IMPURIFICADORES TIPO P Y TIPO N (A SABER, NIVELES MAS O MENOS IGUALES DE LOS DOS IMPURIFICADORES) PARA OBTENER UN CRISTAL ESENCIALMENTE INCOLORO. EL CRISTAL SE PUEDE TALLAR Y PULIR A MODO DE GEMAS SINTETICAS CON UNA RESISTENCIA Y DUREZA EXTRAORDINARIAS, Y UN BRILLO IGUAL O MAYOR QUE LA DEL DIAMANTE.
申请公布号 ES2157556(T3) 申请公布日期 2001.08.16
申请号 ES19970905633T 申请日期 1997.01.24
申请人 CREE, INC. 发明人 CARTER, CALVIN, H.;TSVETKOV, VALERI, F.;GLASS, ROBERT, C.
分类号 C30B29/36;C30B23/00;(IPC1-7):C30B23/00 主分类号 C30B29/36
代理机构 代理人
主权项
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