用于在半导体处理反应器中各次清洗之间增大晶片处理量的装置和方法

摘要

一种用于增大在半导体处理反应器(20)之中各次清洗之间晶片处理量的方法和装置,包含:一种机构(58),用于以替换部件更换电极(32)、扩散头(42)以及各相关的腔室壁板(22)和绝缘层和/或其他各聚集表面或元件中的任一个或任何组合而不必使反应室(24)向大气压力开放并因而同时保持了反应室(24)处在大致工作压力或真空之下。

主权项

1.一种半导体晶片处理设备，包括：一反应室；一第一聚集元件，可移走地并且可操作地配置在所述反应室之内；一聚集元件室，位于所述反应室外部；一第二聚集元件，可移走地配置在所述聚集元件室内部；一将所述反应室与所述聚集元件室连通的连通机构；以及一传送机构，其可以通过所述连通机构把所述第一聚集元件从所述反应室移动到所述聚集元件室并还可以通过所述连通机构从聚集元件室把所述第二聚集元件移动以将所述第二聚集元件操作定位在所述反应室内部，以便更换第一聚集元件为第二电极。