| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有下列步骤:将控制金属膜或是金属化合物膜成长的核之形成的物质,供给给处理对象的基板的表面之前制程步骤,以及前述前制程步骤之后,将前述的金属膜或是金属化合物膜的原料供给给于前述的基板的表面,以在该基板上形成于表面上有凹凸形状的金属膜或金属化合物膜之成膜步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中:前述的前制程步骤,具有将控制NH3吸附的物质供给给前述基板的表面之步骤,前述的成膜步骤,因为将WF6与NH3供给给前述基板的表面,而具有在该基板上形成表面上有凹凸形状的氮化钨丝膜的步骤。3.如申请专利范围第2项之半导体装置的制造方法,其中:前述的前制程步骤,将卤元素供给给前述基板的表面上,具有可以控制NH3吸附在该基板表面的步骤。4.如申请专利范围第3项之半导体装置的制造方法,其中:前述的前制程步骤,具有以ClF3或是WF6作为前述卤元素,将其供给给前述基板表面的步骤。5.如申请专利范围第2项之半导体装置的制造方法,其中:前述的前制程步骤,具有在前述的基板表面上结合包含C及H的基,而得以控制NH3吸附于该基板表面的步骤。6.如申请专利范围第5项之半导体装置的制造方法,其中:前述的前制程步骤,为使包含C与H的基在前述的基板表面上结合,而具有在前述基板的表面上涂抹HMDS((CH3)3SiNHSi(CH3)3)、乙醇类、以及酮类中的最少一种的步骤。7.如申请专利范围第5项之半导体装置的制造方法,其中:前述的前制程步骤,为使包含C与H的基在前述的基板表面上结合,而具有将前述基板的表面暴露在HMDS、乙醇类、以及酮类中的最少一种的蒸气中的步骤。8.如申请专利范围第6项之半导体装置的制造方法,其中:前述的前制程步骤,具有使用C2H5OH作为前述的乙醇类之步骤。9.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中:前述的前制程步骤,具有使用C2H5OH作为前述的乙醇类之步骤。10.如申请专利范围第6项之半导体装置的制造方法,其中:前述的前制程步骤,具有使用CH3COCH3作为前述约丙酮类之步骤。11.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法,其中:前述的前制程步骤,具有使用CH3COCH3作为前述的丙酮类之步骤。12.一种半导体装置的制造方法,其特征为具备下列步骤:将卤元素供给给基板的表面之前制程步骤,以及前述的前制程步骤之后,将金属膜或金属化合物膜的原料供给给前述基板的表面,而在该基板上形成了表面有凹凸形状的金属膜或金属化合物膜的成膜步骤。13.一种半导体装置的制造方法,其特征为具备下列步骤:包含C与H的基在基板表面上结合的前制程步骤,以及在前述的前制程步骤之后,在前述基板的表面上供给了金属膜或金属化合物膜的原料,而在该基板上形成了在表面上有凹凸形状的金属膜或金属化合物膜的成膜步骤。14.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中:前述的成膜步骤,控制前制程的实施时间,而控制前述的成膜步骤中,所形成的金属膜或金属化合物膜的凹凸形状。15.如申请专利范围第12项之半导体装置的制造方法,其中:前述的成膜步骤,控制前制程的实施时间,而控制在前述的成膜步骤中,所形成的金属膜或是金属化合物膜的凹凸形状。16.如申请专利范围第13项之半导体装置的制造方法,其中:前述的成膜步骤,控制前制程的实施时间,而控制前述的成膜步骤中,所形成的金属膜或是金属化合物膜的凹凸形状。17.一种半导体装置的制造装置,其特征为包含下列各项:抑制物质供给源,在前述的第1制程室中,供给抑制物质,抑制使金属膜或金属化合物膜成长的核之形成;第2制程室,进行形成金属膜或是金属化合物膜的成膜制程,以及原料气体供给源,在前述的第2制程室之内,供给前述金属膜或是金属化合物膜形成时所需的原料气体。18.如申请专利范围第17项之半导体装置的制造装置,其中:前述的控制物质供给源,作为前述的前制程,于配置于前述的第1制程室内的所定位置之基板表面上,供给含有控制NH3吸附的卤元素之气体,前述的原料气体供给源,将WF6气体以及NH3气体供给给实施前制程前述基板的表面,而于该基板上形成氮化钨丝膜。19.如申请专利范围第18项之半导体装置的制造装置,其中:前述控制物贫的供给源,供给WF6或ClF3,以作为前述的卤元素。20.如申请专利范围第18项之半导体装置的制造装置,其中:前述控制物质的供给源,具备有将含有卤元素的气体,实质上平均地供给给前述基板之气体导入步骤。21.如申请专利范围第17项之半导体装置的制造装置,其中:前述的第1制程室与前述的第2制程室,可以保持住内部于所定的压力,藉由且具备有搬运前述基板之搬运方法之真空室予以接续。22.如申请专利范围第17项之半导体装置的制造装置,其中:前述的第1制程室以及第2制程室,是同一个制程室。23.如申请专利范围第18项之半导体装置的制造装置,其中:前述的原料气体供给源,以不同之通路供给WF6气体及NH3气体给前述的第2制程室内之前述基板上。24.如申请专利范围第17项之半导体装置的制造装置,其中:前述控制物质的供给源,于前述前制程,将含有包含C与H之基的物质,作为前述的控制物质而供给,前述的第1制程室,其具备有将前述的控制物质涂抹于前述基板的表面之上,并使其乾燥,使包含C与H的基在该基板的表面上结合之涂抹乾燥的步骤。25.如申请专利范围第17项之半导体装置的制造装置,其中:前述控制物质供给源,于前述前制程,将含有包含C与H之基的物质,作为前述的控制物质而供给,前述的第1制程室,具备有将前述控制物质之蒸气流经前述基板的表面,使包含C与H的基于该基板的表面上结合的步骤。图式简单说明:第一图系为与第1种实施型态有关的热CVD(化学气相堆积)成膜装置(成膜装置)的构造图。第二图系为在第1种实施型态中进行的前制程以及成膜制程中的气体供给时间图之图示。第三图系为于第1种实施型态中,使用WF6的前制程之后,所形成的氮化钨丝膜表面的图示。第四图系为在不进行前制程时,所形成的氮化钨丝膜表面的图示。第五图系使用在第1实施型态中所形成的氮化钨丝膜之电容的构造图之剖面。第六图系为在前制程中,使用卤元素所形成的氮化钨丝膜之表面的图示。第七图系为在第3种的实施型态中,所使用的制造装置的构造图。第八图系为在前制程中,使用酒精类而形成的氮化钨丝膜表面的图示。第九图系为在第4种的实施型态中所使用的制造装置的构造图。第十图系为在前制程中,使用HMDS所形成的氮化钨丝膜之表面的图示。第十一图系为在前制程中,使用卤元素的情况下,所使用的制造装置的其他构造图。 |
