| 主权项 |
1.一种半导体晶圆(wafer)的清洗系统,用来去除打印(inking)在半导体晶圆表面的墨渍,该清洗系统包含有:一第一清洗站,该第一清洗站系利用一浸泡旋转的方式,以N-甲基咯酮(N-Methyl-Pyrolidone, NMP)溶液来溶解该晶圆表面的墨渍;一第二清洗站,该第二清洗站系利用一旋转的方式,以一清洗溶液来冲洗经该第一清洗站处理后之晶圆的表面;以及一乾燥站,该乾燥站系利用一旋乾(spin dry)的方式,并配合一气体来吹乾经该第二清洗站处理后的晶圆,以去除该晶圆表面残余的清洗溶液。2.如申请专利范围第1项之清洗系统,其中该第一清洗站系包含有一溶液槽,用来盛装该N-甲基咯酮(NMP)溶液以浸泡该晶圆,以及一第一基座,用来固定并旋转该晶圆。3.如申请专利范围第2项之清洗系统,其中盛装于该溶液槽之N-甲基咯酮(NMP)溶液系以一相反于该第一基座的旋转方向流动,以增加该晶圆与洗剂间之反应面积。4.如申请专利范围第1项之清洗系统,其中该第二清洗站系包含有一第二基座,用来固定并旋转该晶圆,以及一第一供应装置,用来喷洒一N-甲基咯酮(NMP)溶液或丙酮(Acetone)或去离子水(DI water),以去除残余于该晶圆表面的墨渍。5.如申请专利范围第1项之清洗系统,其中该乾燥站系包含有一第三基座,用来固定并旋转该晶圆,以及一第二供应装置,用来供应乾燥空气或氮气,以去除该晶圆表面残余的清洗溶液。6.如申请专利范围第1项之清洗系统,其中该第一、第二清洗站以及乾燥站系为同一清洗装置,该清洗装置另包含有一第四基座,用来固定并旋转该晶圆,以及复数个第三供应装置,分别用来供应该NMP洗剂、清洗溶液以及该气体。7.一种半导体晶圆的清洗方法,用来去除打印在半导体晶圆上之墨渍,该清洗方法包含有下列步骤:将该晶圆固定于一旋转基座上;以NMP洗剂浸泡该晶圆;以NMP洗剂冲洗该晶圆;以去离子水喷洗该晶圆;以及以气体向该晶圆吹气。8.如申请专利范围第7项之清洗方法,其中承载该晶圆之旋转基座系设于一溶液槽内,该溶液槽包含有复数个供应装置,分别用来供应NMP洗剂、去离子水以及该气体,以及一排放孔,用来排放冲泡后之NMP洗剂或去离子水。9.如申请专利范围第7项之清洗方法,其中该旋转基座系以真空方式吸附该晶圆。10.如申请专利范围第8项之清洗方法,其中该气体为乾燥空气或氮气。图式简单说明:第一图为本发明利用浸泡旋转方式溶解晶圆表面墨渍之示意图。第二图为本发明利用旋转冲洗晶圆表面之示意图。第三图为本发明利用旋乾方式乾燥晶圆表面之示意图。 |
