| 主权项 |
1.一种功率放大模组,包含:一配线基体,其一主要表面上形成一电子电路图案,且其中形成一贯穿孔穿过于其主要表面与一背面之间;一金属封装基体,其上安装该配线基体,该金属封装基体具有两实质平表面彼此相对;一散热器,安装于该金属封装基体之该等平表面之一上且经由提供于该配线基体中之贯穿孔而曝露;一半导体晶片,以裸晶片形成安装于该散热器之一表面上且电气连接于该配线基体之该电子电路图案而形成一功率放大电路;复数之引线接脚,固定于该配线基体之一端且各向下地延伸自该配线基体之该端,该等引线接脚之最下方部分系实质地在相同于该金属封装基体之另一平表面之平面上;以及各该金属封装基体与该散热器系由具有导热率比该配线基体之材料大之材料所构成。2.如申请专利范围第1项之功率放大模组,其中该散热器与该半导体晶片之厚度之加和系等于该配线基体之一厚度。3.如申请专利范围第1项之功率放大模组,其中该散热器之材料系铜(Cu)或铜钨(CuW)。4.如申请专利范围第1项之功率放大模组,其中该金属封装基体之材料系铜(Cu)或铁镍(FeNi)合金。5.如申请专利范围第1项之功率放大模组,其中该半导体晶片系一场效应电晶体。6.如申请专利范围第1项之功率放大模组,尚包括:一封装盖,用于容纳该配线基体于内部且固定于该金属封装基体,其中该金属封装基体系接合于该配线基体而未接触该等复数之引线接脚。7.如申请专利范围第1项之功率放大模组,其中该配线基体具有彼此相对之两侧边缘,以及至少该等复数引线接脚之一系固定于该配线基体之一侧边缘。8.如申请专利范围第1项之功率放大模组,其中该配线基体具有彼此相对之两侧边缘,以及至少该等复数引线接脚之一系固定于该配线基体之该两侧边缘。图式简单说明:第一图系一示意图,显示根据本创作之功率放大模组;第二图系一截面图,取第一图中功率放大模组沿着XY平面横切经由封装盖之上面部分;第三图系一截面图,取第一图之功率放大模组沿着包含延伸于纵向中之中心线之YZ平面;第四图系一截面图,取沿着第一图中所示之XZ平面;第五图系一示意图,显示包含于第一图之功率放大模组中之封装底部之结构;第六图系一示意图,显示包含于第一图之功率放大模组中之封装盖之结构;第七图系一示意图,显示包含于第一图之功率放大模组中之配线基体之结构;第八图系一示意图,显示包含于第一图之功率放大模组之散热器与半导体晶片之结构;第九图系一图表,显示用于不同消耗功率热电阻相对通道温度改变之特性以评估根据本创作之功率放大模组一实验性实例之热电阻;第十图A系一分解示意图,显示习知模组之电子零件;以及第十图B系第十图A中所示模组之电子零件之封装基体之示意图。 |
