| 主权项 |
1.一种改良铜电路对介电层的黏着性之方法,其包 括下列诸步骤: (A)备好一介电担体,其中在该介电担体的一表面或 两相反表面上具有导电性铜电路; (B)在该铜电路上形成一层选自锡,铋,铅,铟,镓,锗, 和该等金属的合金所成组合之中的金属之氧化物, 氢氧化物,或其组合,其中系经由将该等金属或其 合金的镀着水溶液施加在该铜电路上而在该铜电 路上而沈积该金属,其中该镀着溶液包含: (B-1)至少一种选自锡盐,铅盐,铋盐,铟盐,镓盐和锗 盐所成组合之中的溶液可溶性金属盐; (B-2)至少一种选自氟硼酸,烷磺酸,烷醇磺酸,和彼 等的混合物所成组合之中的酸; (B-3)一种错合剂,其为具有下式的咪唑-2-硫酮化合 物 式中A和B为相同或相异的-RY基其中R为具有多达12 个碳原子的线型,分支或环状伸烃基且Y为氢,卤素, 氰基,乙烯基,苯基,或醚部份体;及 (B-4)水; 及将如此沈积好的金属在其表面上转化或其氧化 物,氢氧化物或其组合; (C)(i)于该金属氧化物,氢氧化物,或其组合的表面 上依序加有机矽烷黏合混合物及一绝缘层,或 (ii)于该金属氧化物,金属氢氧化物或其组合的表 面上施加一在一侧面上经有机矽烷涂被过的绝缘 层,其中该绝缘层包括一经部份硬化的热固性聚合 物组成物且其中该有机矽烷涂层系介于该金属氧 化物,金属氢氧化物,或其组合的表面与该绝缘层 之间且其中该绝缘层上与该有机矽烷黏合层相异 的表面上视需要含有铜电路, (D)将从步骤(A),(B),和(C)所得组合黏合起来,藉此于 黏合中,该经部份硬化的绝缘层即被硬化。2.如申 请专利范围第1项之方法,其中该介电层包含环氧 树脂,聚醯亚胺,聚氰酸酯,丁二烯对苯二甲酸酯树 脂,及彼等的混合物。3.如申请专利范围第1项之方 法,其中该酸(B-2)为下式所表之烷磺酸 R-SO3 H 式中R为含有1至12个碳原子的烷基;或为下式所表 的烷醇磺酸 CnH2 n+1-CH(OH)-(CH2)m-SO3 H 式中n为0至10,m为1至11,且n+m的和为1至12。4.如申请 专利范围第1项之方法,其中在该步骤(C)中所用的 该有机矽烷黏合混合物包括: (i)具有下式构造的基矽烷 B(4-n)—Si—(A—N(H)—C(O)—NH2)n 式中(A)为具有1至8个碳原子的伸烷基,(B)为羟基或 含有1至8个碳原子的烷氧基,且n为1至3的整数,其限 制条件为若n为1或2时,各(B)可相同或相异;及 (ii)具有下示构造的二矽烷基交联剂 (R5 O)3-Si-R6-Si-(OR5)3 式中各R5独立地为含有1至8个碳原子的烷基,且R6独 立地为含有1至8个碳原子的伸烷基。5.如申请专利 范围第2项之方法,其中在该步骤(C)中使用的该有 机矽烷黏合混合物包括: (i)矽烷偶合剂;及 (ii)下面诸式所表的三-(矽烷基有机基)胺或烷 ((R5 O)3-Si-R6)3-N 或 (R5 O)3-Si-R6)3-C-R7 式中各R5独立地为含有少于20个碳原子的烷基,烷 氧烷基,芳基,芳烷基或环烷基;R6为含有少于20个碳 原子的二价烃基或聚醚基;且R7为下式所表之官能 基 CnH2 nX 式中n为0至20且X为选自下列所成组合之中者;胺基, 醯胺基,羟基,烷氧基,卤素基,氢硫基,羧基,醯基,乙 烯基,烯丙基,苯乙烯基,异氰酸基,环氧丙氧基,和 丙烯醯氧基。6.一种形成含有导电性穿孔的积层 印刷电路板之方法,其中该等导电性穿孔系用来使 一系列导电性层越过一或多层绝缘层呈电相接者, 该方法包括下列步骤: (A)备好一介电担体,其中在该介电担体的一表面或 两相反表面上具有导电性铜电路; (B)在该铜电路上形成一层选自锡,铋,铅,铟,镓,锗, 和该等金属的合金所成组合之中的金属之氧化物, 氢氧化物,或其组合,其中系经由将该等金属或其 合金的镀着水溶液施加在该铜电路上而在该铜电 路上而沈积该金属,其中该镀着溶液包含: (B-1)至少一种选自锡盐,铅盐,铋盐,铟盐,镓盐和锗 盐所成组合之中的溶液可溶性金属盐; (B-2)至少一种选自氟硼酸,烷磺酸,烷醇磺酸,和彼 等的混合物所成组合之中的酸; (B-3)一种错合剂,其为具有下式的咪唑-2-硫酮化合 物 式中A和B为相同或相异的-RY基其中R为具有多达12 个碳原子的线型,分支或环状伸烃基且Y为氢,卤素, 氰基,乙烯基,苯基,或醚部份体;及 (B-4)水; 及将如此沈积好的金属在其表面上转化或其氧化 物,氢氧化物或其组合; (C)(i)于该金属氧化物,氢氧化物,或其组合的表面 上依序加有机矽烷黏合混合物及一绝缘层,或 (ii)于该金属氧化物,金属氢氧化物或其组合的表 面上施加一在一侧面上经有机矽烷涂被过的绝缘 层,其中该绝缘层包括一经部份硬化的热固性聚合 物组成物且其中该有机矽烷涂层系介于该金属氧 化物,金属氢氧化物,或其组合的表面与该绝缘层 之间且其中该绝缘层上与该有机矽烷黏合层相异 的表面上视需要含有铜电路, (D)重复步骤(A),(B)和(C),但其先决条件为当步骤(C) 中的绝缘层上在与有机矽烷相异的侧面上具有铜 电路时,则至少有一绝缘层分隔该铜电路,并重复 步骤(B)和(C), (E)将步骤(D)中所形成的材料黏合到单一物体中藉 此在该金属氧化物,金属氢氧化物或其组合的层与 该绝缘层之间插置该有机矽烷涂层且藉此在黏合 过程中,该经部份硬化的绝缘层即被硬化; (F)形成穿过步骤(E)中所形成的经黏合物件之衆多 孔洞;及 (G)对该等穿孔的壁实施金属处理以形成从该等穿 孔的两相异开口之导电途径而制成积层电路板。7 .如申请专利范围第6项之方法,其中该介电层包含 环氧树脂,聚醯亚胺,聚氰酸酯,丁二烯对苯二甲酸 酯树脂,及彼等的混合物。8.如申请专利范围第6项 之方法,其中该酸(B-2)为下式所表之烷磺酸 R-SO3 H 式中R为含有1至12个碳原子的烷基;或为下式所表 的烷醇磺酸 CnH2n+1-CH(OH)-(CH)2-SO3 H 式中n为0至10,m为1至11,且n+m的和为1至12。9.如申请 专利范围第6项之方法,其中该酸(B-2)为烷磺酸。10. 如申请专利范围第6项之方法,其中该酸(B-2)为烷磺 酸和氟硼酸之混合物。11.如申请专利范围第6项之 方法,其中该酸(B-2)为甲烷磺酸。12.如申请专利范 围第6项之方法,其中A为甲基或乙基且B为C3-6烷基 或环烷酸。13.如申请专利范围第6项之方法,其中 该错合剂B-3为1-甲基-3-丙基咪唑-2-硫酮。14.如申 请专利范围第6项之方法,其中在该步骤(B)中所用 镀着溶液系实质地不含硫者。15.如申请专利范 围第6项之方法,其中该金属盐B-1系选自锡,铋,铅, 和彼等的合金所成组合之中者。16.如申请专利范 围第15项之方法,其中该镀着溶液包括铋和锡,或铅 和锡,或铋,铅和锡的水溶性盐。17.如申请专利范 围第6项之方法,其中在该步骤(C)中所用的该有机 矽烷黏合混合物包括: (i)具有下式构造的基矽烷 B(4-n)—Si—(A—N(H)—C(O)—NH2)n 式中(A)为具有1至8个碳原子的伸烷基,(B)为羟基或 含有1至8个碳原子的烷氧基,且n为1至3的整数,其限 制条件为若n为1或2时,各(B)可相同或相异;及 (ii)具有下示构造的二矽烷基交联剂 (R5 O)3-Si-R6-Si-(OR5)3 式中各R5独立地为含有1至8个碳原子的烷基,且R6独 立地为含有1至8个碳原子的伸烷基。18.如申请专 利范围第17项之方法,其中该矽烷黏合混合物也包 含对基矽烷和该交联剂的复溶剂。19.如申请专 利范围第17项之方法,其中在该矽烷黏合混合物中( i)对(ii)的重量比例为99:1至1:99之间。20.如申请专 利范围第17项之方法,其中(A)为伸乙基或伸丙基。 21.如申请专利范围第17项之方法,其中(B)为甲氧基 或乙氧基。22.如申请专利范围第17项之方法,其中 该基矽烷为-基丙基-三乙氧基矽烷。23.如 申请专利范围第17项之方法,其中各R5独立地为甲 基或乙基。24.如申请专利范围第17项之方法,其中R 6为伸乙基或伸丙基。25.如申请专利范围第17项之 方法,其中该二矽烷基交联剂为六甲氧基二矽烷基 乙烷。26.如申请专利范围第6项之方法,其中在该 步骤(C)中使用的该有机矽烷黏合混合物包括: (i)矽烷偶合剂;及 (ii)下面诸式所表的三-(矽烷基有机基)胺或烷 ((R5 O)3-Si-R6)3-N 或 (R5 O)3-Si-R6)3-C-R7 式中各R5独立地为含有少于20个碳原子的烷基,烷 氧烷基,芳基,芳烷基或环烷基;R6为含有少于20个碳 原子的二价烃基或聚醚基;且R7为下式所表之官能 基 CnH2 nX 式中n为0至20且X为选自下列所成组合之中者;胺基, 醯胺基,羟基,烷氧基,卤素基,氢硫基,羧基,醯基,乙 烯基,烯丙基,苯乙烯基,异氰酸基,环氧丙氧基,和 丙烯醯氧基。27.如申请专利范围第26项之方法,其 中(i)为三-(矽烷基有机基)胺。28.如申请专利范围 第26项之方法,其中各R5独立地为烷基。29.如申请 专利范围第26项之方法,其中各R5独立地为具有1至5 个碳原子的烷基。30.如申请专利范围第26项之方 法,其中R6为含有最多达8个碳原子的二价烃基。31. 如申请专利范围第26项之方法,其中该矽烷偶合剂( i)系下式所表者 A(4-X)-Si-(B)x 式中(A)为可水解基,X为1, 2或3,且(B)为烷基或芳基 或下式所表的官能基 CnH2 nX 式中n为0至20且X为选自下列所成组合之中者;胺基, 醯胺基,羟基;烷氧基,卤素基,氢硫基,羧基,醯基,乙 烯基,烯丙基,苯乙烯基,异氰酸基,环氧丙氧基,和 丙烯醯氧基。32.如申请专利范围第31项之方法,其 中各A为RO基,式中各R独立地为含有少于20个碳原子 的烷基,芳基,芳烷基或环烷基,且X=1。33.如申请专 利范围第32项之方法,其中各R为含有最多达5个碳 原子的烷基。34.如申请专利范围第31项之方法,其 中B系下式所表者 CnH2 nX 式中n为1至5的整数且X为醯胺基。35.如申请专利范 围第31项之方法,其中B为胺基。36.如申请专利范围 第26项之方法,其中该矽烷偶合剂(i)对该三-(矽烷 基有机基)胺(ii)的莫耳比例系在1:1至5:1的范围内 。37.一种包含导电性穿孔的积层印刷电路板,该导 电性穿孔使得一系列导电层越过一或多层绝缘层 达到电接触,该积层印刷电路板包括: (A)介电层; (B)在该介电层的一侧面或两侧面上之铜电路; (C)覆盖该铜电路的一层金属氧化物,金属氢氧化物 或其组合,其中该金属系选自铋,铟,镓,锗,彼等金 属的合金,彼等金属与锡或铅的合金,及锡和铅的 合金所成组合之中者; (D)一有机矽烷层,其系覆盖在该金属氧化物,金属 氢氧化物或其组合的层上者;及 (E)一覆盖在该有机矽烷层,由经硬化的热固性聚合 物组成物所构成之绝缘层。38.如申请专利范围第 37项之积层印刷电路板,其中该铜电路系在该介电 层的两侧面上,且各铜电路上覆盖着一层(C)金属氧 化物,金属氢氧化物或其组合,一有机矽烷层(D)和 一由硬化热固性聚合物组成物构成的绝缘层(E)。 39.一种包含导电性穿孔的积层印刷电路板,该导电 性穿孔使得一系列导电层越过一或多层绝缘层达 到电接触,该积层印刷电路板包括: (A)一介电层; (B)在该介电层的一侧面或两侧面上之铜电路; (C)覆盖该铜电路的一层金属氧化物,金属氢氧化物 或其组合,其中该金属系选自铋,铟,镓,锗,彼等金 属的合金,彼等金属与锡或铅的合金,及锡和铅的 合金所成组合之中者; (D)一有机矽烷层,其系覆盖在该金属氧化物,金属 氢氧化物或其组合的层上者; (E)一由硬化热固型聚合物组成物所构成的绝缘层, 其系覆盖在有机矽烷层上,且其在与该有机矽烷层 相异的侧面上具有铜电路, (F)一覆盖在该第二铜电路层上的第二层金属氧化 物,金属氢氧化物或其组合,其中该金属系选自铋, 铅,铟,镓,锗,彼等金属的合金及彼等金属与锡的合 金所成组合之中者; (G)一第二有机矽烷层,其系覆盖在该第二层金属氧 化物,金属氧气化物或其组合之上;及 (H)一第二绝缘层,其系覆盖在该有机矽烷层上由硬 化热固性聚合物组成物所构成者其先决条件为当 该介电层(A)的相反侧面上有(B),(C),(D)和(E)和(F)诸 层时,该等二(F)至(H)层系视情况施加者。40.如申请 专利范围第39项之积层印刷电路板,其中该铜电路 具有至少2微米的厚度。41.如申请专利范围第39项 之积层印刷电路板,其中该金属氧化物,金属氢氧 化物或其组合的层所具厚度不大于1.5密尔。42.如 申请专利范围第39项之积层印刷电路板,其中该金 属氧化物,金属氢氧化物或其组合的层所含金属系 选自铋和铋合金之中者。43.一种包含导电性穿孔 的积层印刷电路板,该导电性穿孔使得一系列导电 层越过数层绝缘层达到电接层,该积层印刷电路板 依为包括: (A)一介电层; (B)一层铜电路; (C)覆盖该铜电路的一层金属氧化物,金属氢氧化物 或其组合,其中该金属系选自铋,铟,镓,锗,彼等金 属的合金,彼等金属与锡或铅的合金,及锡和铅的 合金所成组合之中者; (D)一有机矽烷层,其系覆盖在该金属氧化物,金属 氢氧化物或其组合的层上者; (E)一绝缘层,其包括经硬化的热固性聚合物组成物 ; (F)一第二有机矽烷层; (G)一第二层金属氧化物,金属氢氧化物,或其组合, 其中该金属系选自铋,铅,铟,镓,锗及彼等金属的合 金所成组合之中者; (H)一第二铜电路层;及 (I)一第二介电层。44.一种包含导电性穿孔的积层 印刷电路板,该导电性穿孔使得一系列导电层越过 数层绝缘层达到电接触,该积层印刷电路板依序包 括: (A)一介电层; (B)一铜电路层; (C)覆盖该铜电路的一层金属氧化物,金属氢氧化物 或其组合,其中该金属系选自铋,铟,镓,锗,彼等金 属的合金,彼等金属与锡或铅的合金,及锡和铅的 合金所成组合之中者; (D)一有机矽烷层; (E)一绝缘层,其包括经硬化的热固性聚合物组成物 ; (F)一第二铜电路层; (6)一覆盖在该第二铜电路层上的第二层金属氧化 物,金属氢氧化物或其组合,其中该金属系选自铋, 铅,铟,镓,锗,彼等金属的合金及彼等金属与锡的合 金所成组合之中者; (H)一第二有机矽烷层;及 (I)一第二绝缘层,其系由硬化的热固性聚合物组成 物所构成者。图式简单说明: 第一图为制成积层印刷电路板所用的积层构造之 横截面部份; 第一图A为第一图的一种变化形式之横截面部份。 第二图为制成印刷电路板所用的积层构造之横截 面部份。 第三图为形成印刷电路板所用积层物件之横截面 部份。 第四图为形成印刷电路板所用积层物件之横截面 部份。 |
