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Ein Verfahren zur Herstellung eines Aluminiumoxidfilms zur Verwendung in einem Halbleitergerät umfaßt die Schritte, ein Halbleitersubstrat bereitzustellen und das Halbleitersubstrat in eine Reaktionskammer einzubringen, gleichzeitig ein Aluminiumquellenmaterial und NH¶3¶-Gas in die Reaktionskammer einzulassen, damit diese auf dem Halbleitersubstrat absorbiert werden, MTMA, das nicht reagiert hat, oder Nebenprodukte dadurch auszustoßen, daß man Stickstoffgas in die Reaktionskammer einströmen läßt oder durch Vakuumspülung, Zuführung eines Sauerstoffquellenmaterials in die Reaktionskammer, damit es auf dem Halbleitersubstrat absorbiert wird, und Ausstoßen der Sauerstoffquelle, die nicht reagiert hat, oder von Nebenprodukten durch Einströmenlassen von Stickstoffgas in die Reaktionskammer oder durch Vakuumspülung.
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