发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
摘要 Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe durch Ätzen der Halbleiterscheibe, wobei ein Ätzmedium entlang einer Strömungsrichtung laminar zu einer Kante der Halbleiterscheibe strömt. Wesentliches Merkmal des Verfahrens ist, daß vor der Kante der Halbleiterscheibe ein Schutzschild angeordnet wird, so daß das Ätzmedium gegen das Schutzschild und nicht gegen die Kante der Halbleiterscheibe strömt. Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Halbleiterscheibe in Bezug auf die Strömungsrichtung des Ätzmediums geneigt wird, so daß zwischen der Strömungsrichtung des Ätzmediums und einer ersten Seite der Halbleiterscheibe ein Winkel von kleiner als 180 DEG und zwischen der Strömungsrichtung des Ätzmediums und einer zweiten Seite der Halbleiterscheibe ein Winkel von größer als 180 DEG besteht, und die zweite Seite der Halbleiterscheibe später poliert wird.
申请公布号 DE10002354(A1) 申请公布日期 2001.08.09
申请号 DE20001002354 申请日期 2000.01.20
申请人 WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FUER HALBLEITERMATERIALIEN AG 发明人 SCHWAB, GUENTER;FRANKE, HELMUT;SCHOEFBERGER, MANFRED
分类号 H01L21/02;H01L21/00;H01L21/304;H01L21/306;(IPC1-7):H01L21/306 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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