| 主权项 |
1.一种「半导体晶圆回收再生之方法」,该再生方法之流程如下:(1)先将回收之半导体晶圆片定着于第一支架上,该支架并以第一速率旋转;(2)将第一种硷性或酸性化学溶剂接触晶圆片之第一导表面;(3)在洗刷程序之前该晶圆片先以化学机械研磨(CMP)处理,其步骤为:a.将该晶圆片固定于设有研磨垫之第二支架上;b.以第三速率旋转研磨垫;c.在研磨垫之研磨面加上研磨液;d.将第二支架改以第四速率旋转;e.调整第二支架或研磨垫,使晶圆片之第一表层接受研磨垫之研磨;f.进行研磨晶圆片之第一表层者。(4)用刷子以0-30psi压力洗刷晶圆片之第一层表面,刷子之材质必须适使晶圆片上污染杂质去除且与晶圆片本身之间产生互斥电荷;(5)刷子以第二速率旋转洗刷晶圆片之表面,消除晶圆片表面上污染杂质,使晶圆片回复原本品质以便再使用者。2.如申请专利范围第1项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该化学溶剂为内含NH4 OH、SCI (H2O,H2O2及NH4OH混合溶液)、HCI、HF或柠檬酸基化学物质者。3.如申请专利范围第1项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该刷子为聚乙烯醋酸材质者。4.如申请专利范围第1项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该晶圆片可浸泡于去离子水中或在晶圆片上淋滴去离子水,且在上述专利范围再生方法之流程第1项d.刷洗过程中配合转能器使去离子水产生超高音波或超音波者。5.如申请专利范围第1项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该研磨液包含第二种酸性或硷性化学溶剂;及研磨砂以研磨晶圆片者。6.如申请专利范围第5项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该第二种化学溶剂为包含有:KOH,NH4OH,H2O2,KIO3或Fe(NO3)3之化学物质者。7.如申请专利范围第5项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该研磨砂为包含有:SiO2.CeO2.AI2O3,或金钢砂之材质者。8.如申请专利范围第1项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该研磨垫可以为聚尿素材质者。9.如申请专利范围第1项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该研磨垫包括含聚尿素之多元酯材料者。10.如申请专利范围第1项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该第三、第四速率可达1000rpm左右者。11.如申请专利范围第1项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该化学机械研磨(CMP)程序包括在晶圆片上加第三种酸基或硷基化学溶剂并进行溶蚀手续者。12.如申请专利范围第1项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该化学机械研磨程序包括一清洗手续者。13.如申请专利范围第12项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该清洗手续包括:将晶圆片置入清洗槽;在清洗槽附近配置转能器(transducer)以产生超音波;以超音波清除晶圆片上污染杂质残除者。14.如申请专利范围第12项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该清洗手续包括利用喷射冲洗法以清除晶圆片之污染杂质残除者。15.如申请专利范围第1项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该化学机械研磨(CMP)程序包括在晶圆片上加第四种酸基或硷基化学溶剂以进行溶蚀除晶圆片上之污染杂质残除之步骤者。16.如申请专利范围第1项所述一种「半导体晶圆回收再生之方法」,其中该化学机械研磨程序包括在晶圆上加第五种酸基或硷基化学溶剂以进行溶蚀除晶圆片上污染杂质残除之步骤者。图式简单说明:第一图系未处理前之半导体晶圆片结构示意图。第二图系化学溶蚀后之晶圆片示意图。第三图系化学溶蚀及CMP处理后之晶圆片示意图。第四图系经本专利发明之化学溶蚀、CMP、PVA洗刷晶圆清洗处理后之晶圆片示意图。 |
