| 主权项 |
1.一种高压元件,架构于一基底上,其包括;一闸极结构位于该基底上;一第一导电型第一井区,位于该闸极结构一侧之该基底中;一浅沟渠隔离,位于该第一井区中;一第二导电型第一掺杂区,位于该浅沟渠隔离之一底部下之该第一井区中;一第二导电型第二掺杂区,位于该第一掺杂区下方之该第一井区中;一第二导电型第二井区,位于该闸极结构另一侧之该基底中;一第二导电型第三井区,位于该第二井区中,其中该闸极结构延伸覆盖部分该第一井区、该第二井区、该第三井区与该浅沟渠隔离;一第一导电型源极区,位于该闸极结构与该浅沟渠隔离所裸露之该第一井区中;以及一第一导电型汲极区,位于该闸极结构所裸露之该第三井区中。2.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第一导电型为一N型时,则该第二导电型为一P型。3.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第一导电型为一P型时,则该第二导电型为一N型。4.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第一掺杂区之一离子掺杂浓度约为11016-11017/cm3左右。5.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第二掺杂区之一离子掺杂浓度约为11016-31017/cm3左右。6.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第三井区之一离子掺杂浓度大于该第二井区之一离子掺杂浓度。7.如申请专利范围第6项所述之高压元件,其中该第三井区之该离子掺杂浓度约为11016/cm3至11017/cm3。8.如申请专利范围第6项所述之高压元件,其中该第二井区之该离子掺杂浓度约为11015/cm3至11016/cm3。9.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第二掺杂区与该第一掺杂区之间之一距离随着该第一与该第二掺杂区之一离子掺杂浓度提高而减少。10.如申请专利范围第1项所述之高压元件,其中该第二掺杂区与该第一掺杂区之间之一距离随着该第一与该第二掺杂区之一离子掺杂浓度下降而增加。11.一种高压元件,架构于一基底上,其包括:一第一导电型第一井区;一第二导电型第二井区,位于该基底中,且该第二井区与该第一井区互不相连;一浅沟渠隔离,位于该第一井区中;一第二导电型第一掺杂区,位于该浅沟渠隔离之一底部下之该第一井区中;一第二导电型第二掺杂区,位于该第一掺杂区下方之该第一井区中;一第二导电型第三井区,位于该第二井区中由该第二井区之一表面延伸至该第二井区中;一闸极结构,位于该第一井区与该第二井区之间之该基底上, 其中该闸极结构延伸覆盖该部分第一井区、部分该第二井区、部分该第三井区与部分该浅沟渠隔离;一第一导电型源极区,位于该闸极结构与该浅沟渠隔离所裸露之该第一井区中;以及一第一导电型汲极区,位于该闸极结构所裸露之该第三井区中。12.如申请专利范围第11项所述之高压元件,其中该第一导电型为一N型时,则该第二导电型为一P型。13.如申请专利范围第11项所述之高压元件,其中该第一导电型为一P型时,则该第二导电型为一N型。14.如申请专利范围第11项所述之高压元件,其中该第一掺杂区之一离子掺杂浓度约为11016-11017/cm3左右。15.如申请专利范围第11项所述之高压元件,其中该第二掺杂区之一离子掺杂浓度约为11016-31017/cm3左右。16.如申请专利范围第11项所述之高压元件,其中该第三井区之一离子掺杂浓度大于该第二井区之一离子掺杂浓度。17.如申请专利范围第16项所述之高压元件,其中该第三井区之该离子掺杂浓度约为11016/cm3至11017/cm3。18.如申请专利范围第16项所述之高压元件,其中该第二井区之该离子掺杂浓度约为11015/cm3至11016/cm3。19.如申请专利范围第11项所述之高压元件,其中该第二掺杂区与该第一掺杂区之间之一距离随着该第一与该第二掺杂区之一离子掺杂浓度提高而减少。20.如申请专利范围第11项所述之高压元件,其中该第二掺杂区与该第一掺杂区之间之一距离随着该第一与该第二掺杂区之一离子掺杂浓度下降而增加。21.一种高压元件之制造方法适用于一基底,此方法包括:于该基底中形成一第一导电型第一井区;于该第一井区中形成一沟渠;于该沟渠下方之该第一井区中,形成一第二导电型第一掺杂区;于该基底中形成一第二导电型第二井区,其中该第二井区与该第一井区不相连;填满该沟渠,以于该沟渠中形成一浅沟渠隔离;于该浅沟渠隔离底部之该第一井区中,形成一第二导电型第二掺杂区,同时于该第二井区中形成一第二导电型第三井区;于该第一井区与该第二井区之间的该基底上方,形成一闸极结构,其中该闸极结构延伸覆盖部分该第一井区、部分该第二井区、部分该第三井区与部分该浅沟渠隔离;以及于该闸极结构与该浅沟渠隔离所裸露之该第一井区与该第三井区中,分别形成一第一导电型汲极区与一第一导电型源极区。22.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第一导电型为一N型时,则该第二导电型为一P型。23.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第一导电型为一P型时,则该第二导电型为一N型。24.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中第一掺杂区之一离子掺杂浓度约为11016-31017/cm3左右。25.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中第二掺杂区之一离子掺杂浓度约为11016-11017/cm3左右。26.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中形成该第一掺杂区之离子掺杂能量约为100至300keV。27.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第三井区之一离子掺杂浓度大于该第二井区之一离子掺杂浓度。28.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第三井区之该离子掺杂浓度约为11016/cm3至11017/cm3。29.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第二井区之该离子掺杂浓度约为11015/cm3至11016/cm3。30.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第二掺杂区与该第一掺杂区之间之一距离随着该第一与该第二掺杂区之一离子掺杂浓度提高而减少。31.如申请专利范围第21项所述之高压元件之制造方法,其中该第二掺杂区与该第一掺杂区之间之一距离随着该第一与该第二掺杂区之一离子掺杂浓度下降而增加。图式简单说明:第一图绘示为习知的一种高压元件之结构剖面图;第二图A至第二图C所示,为根据本发明一较佳实施例之一种高压元件之制造方法流程剖面图。 |
