| 主权项 |
1.一种保护晶圆之标签的方法,至少包含下列基本步骤:提供一底材,该底材具有多数个晶粒与至少一标签,其中该些晶粒与该标签并不重叠;形成一基层在该底材上并覆盖该标签,其中该基层系均匀覆盖该标签;形成一保护层在该基层上,该保护层仅覆盖该标签而不覆盖该些晶粒;以一平坦化程序同时处理该基层与该保护层,其中在该标签上方之部份的该基层因被该保护层所覆盖而不会被损坏,使得该部份之该基层的顶表面轮廓与该标签之顶表面轮廓相同;以及移除该保护层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之标签至少包含由多数条线条所组合而成的一对准标的。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之标签至少包含由多数个孔洞所组合而成的一晶圆识别码。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之标签的表面系不高于该些晶粒的表面。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之基层至少包含金属层。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之金属层至少包含钨层。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之基层至少包含介电质层。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之介电质层至少包含氧化物层。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之保护层至少包含光阻层。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之光阻层至少包含负光阻层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之负光阻层系经由一晶圆边缘曝光程序而被形成该标签上方之部份的该基层。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之平坦化程序至少包含化学机械研磨程序。13.一种保护晶圆之标签不因化学机械研磨而失效的方法,该方法至少包含下列基本步骤:提供一底材,该底材具有多数个晶粒与至少一标签,其中该些晶粒与该标签并不重叠;形成一基层在该底材上并均匀覆盖该标签;形成一负光阻层在该基层上;以一晶圆边缘曝光程序处理该负光阻层,藉以使得该负光阻层仅覆盖住该标签;以一化学机械研磨程序同时研磨该基层与该负光阻层,其中在该标签上方之部份的该基层因被该负光阻层所覆盖而不会被该化学机械研磨程序所研磨,使得该部份之该基层的顶表面轮廓与该标签之顶表面轮廓相同;以及移除该负光阻层。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之标签至少包含对准标的。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之对准标的的边长约为400微米。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之标签至少包含由多数个孔洞所组合而成的一晶圆识别码。17.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之晶圆识别码的宽度约为9毫米而长度约为20毫米。18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之基层至少包含金属层。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中上述之金属层至少包含钨层。20.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之基层至少包含介电质层。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之介电质层至少包含氧化物层。22.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述之晶圆边缘曝光程序系使用光阻涂布显影机所进行的。23.如申请专利范围第13项所述之方法,更包含在该负光阻层被移除后,均匀地形成一金属层在该基层上,使得在该标签上方部分之该金属层的表面轮廓与该标签的表面轮廓相同。图式简单说明:第一图A第一图B为用以说明在化学机械研磨程序进行前后,晶圆之标签所会发生之损坏的横截面示意图;第二图A到第二图E为一系列用以说明本发明之一较佳实施例的示意图;第三图A到第三图F为一系列用以说明本发明之另一较佳实施例的示意图;以及第四图为本发明之基本流程图。 |
