| 主权项 |
1.一种用以支撑线圈于半导体制造系统之固定器,该系统具有一壁,沉积材料可沉积于该壁上,该固定器包含:一个第一底件,其适合耦合至壁;第一盖件,其适合耦合至线圈,该盖件系位于底件上方,盖件及底件界定一条介于底件与盖件间之通道,其中盖件及底件之至少一者系由绝缘材料制成;及第二盖件设置成至少部分遮盖第一盖件。2.如申请专利范围第1项所述之固定器,其中该第一及第二盖件各自为杯形。3.如申请专利范围第1项所述之固定器,其中该第二盖件包含导电金属。4.如申请专利范围第3项所述之固定器,其中该第二盖件被偏压至一电位准位而抑制第二盖件之溅镀。5.如申请专利范围第4项所述之固定器,其中该第二盖件系耦合至电接地。6.如申请专利范围第1项所述之固定器,其中该第二盖件系与第一盖件隔开而介于第一与第二盖件间界定一条通路。7.如申请专利范围第1项所述之固定器,其又包含一个第二底件适合耦合至壁,及一个扣件供扣接第一及第二底件而压缩壁介于第一与第二底件间。8.如申请专利范围第7项所述之固定器,其中该第一及第二底件各自具有肩部设置成可于另一底件之肩部相对且有壁部介于第一与第二底件之肩部间。9.如申请专利范围第8项所述之固定器,其中该壁具有一个开口及第一及第二底件之一具有轴环部其适合延伸贯穿该壁开口。10.如申请专利范围第9项所述之固定器,其中该轴环部系与第一及第二底件之另一者隔开。11.如申请专利范围第10项所述之固定器,其中该第一及第二底件系由电绝缘材料制成。12.如申请专利范围第11项所述之固定器,其中该第一及第二底件系由陶瓷材料制成。13.如申请专利范围第7项所述之固定器,其中该扣件包含一根柱及该壁,该第一及第二盖件及第一及第二底件各自具有一个开口对正而可容纳该柱,使柱贯穿壁,第一及第二盖件及第一及第二底件开口通过其中。14.如申请专利范围第13项所述之固定器,其中该柱系由导电材料制成且具有第一端耦合至线圈及第二端延伸贯穿壁开口,固定器又包含第三盖件设置成可遮盖柱第二端之一部分,该第三盖件系由绝缘材料制成。15.如申请专利范围第14项所述之固定器,其中该第二底件具有一个肩部与壁隔开及第三盖件具有一个唇部位置介于壁与第二底件之肩部间而固持第三盖件于第二底件上。16.如申请专利范围第13项所述之固定器,其中该线圈界定一个开口适合容纳该扣件,及该扣件又包含一个凸缘部适合啮合该线圈。17.如申请专利范围第16项所述之固定器,其中该扣件又包含一个螺母其具有一个螺纹部,及该凸缘部及柱具有螺纹部其适合啮合及固持该螺母之螺纹部。18.一种用以耦合RF电流之固定器,该固定器系经由一壁内之一开口将该RF电流耦合至一个半导体制造系统中之一线圈,该固定器包含:一个第一导电件,其适合延伸贯穿壁开口,第一导电件具有第一及第二末端,第一末端系位于壁之第一侧上且适合耦合至RF电源,及第二末端系位于与壁之第一侧反侧之第二侧上且适合电耦合至线圈;第一绝缘底件,其适合延伸贯穿导电件与壁间之壁开口而绝缘导电件与壁;第一盖件,其设置成至少部分覆盖底件,第一盖件之底件界定一条介于第一底件与第一盖件间之通道;及一个第二盖件设置成至少部分覆盖该第一盖件。19.如申请专利范围第18项所述之固定器,其中该第一及第二盖件各自为杯形。20.如申请专利范围第18项所述之固定器,其中该第二盖件包含导电金属。21.如申请专利范围第20项所述之固定器,其中该第二盖件被偏压至一电位准位而抑制第二盖件之溅镀。22.如申请专利范围第21项所述之固定器,其中该第二盖件系耦合至电接地。23.如申请专利范围第18项所述之固定器,其中该第二盖件系与第一盖件隔开而介于第一与第二盖件间界定一条通路。24.如申请专利范围第18项所述之固定器,其又包含第二导电件设置于壁之第一侧上且适合电耦合至第一导电件,及第二绝缘底件适合耦合至第二导电件与壁间之壁而绝缘第二导电件与壁。25.如申请专利范围第24项所述之固定器,其又包含第一扣件供扣接第一与第二导电件。26.如申请专利范围第25项所述之固定器,其又包含第二扣件供扣接第二盖件至壁。27.如申请专利范围第26项所述之固定器,其中该第二盖件界定一条通道耦合至第二扣件而通风该第二扣件。28.如申请专利范围第24项所述之固定器,其中该第一及第二导电件各自具有一个肩部设置成相对于另一导电件之肩部之反侧。29.如申请专利范围第28项所述之固定器,其中该壁具有一个开口及第一及第二底件之一具有轴环部其适合延伸贯穿壁开口。30.如申请专利范围第29项所述之固定器,其中该部系与第一及第二底件之另一部隔开。31.如申请专利范围第30项所述之固定器,其中该第一及第二底件系由电绝缘材料制成。32.如申请专利范围第18项所述之固定器,其中该第一及第二底件系由陶瓷材料制成。33.如申请专利范围第24项所述之固定器,其中该扣件包含一根柱及该壁,第一及第二盖件及第一及第二底件各自具有一个开口对正而可容纳该柱,故柱延伸贯穿壁,第一及第二盖件及第一及第二底件之开口。34.如申请专利范围第33项所述之固定器,其中该柱系由导电材料制成且具有第一端耦合至线圈及第二端延伸贯穿壁开口,该固定器又包含第三盖件设置成可遮盖柱第二端之至少一部分,该第三盖件系由绝缘材料制成。35.如申请专利范围第34项所述之固定器,其中该第二底件具有一个肩部与该壁隔开及该第三盖件具有一个唇部位置介于壁与第二底件肩部间而固持第三盖件于第二底件上。36.如申请专利范围第33项所述之固定器,其中该线圈界定一个开口适合容纳该扣件,及该扣件又包含一个凸缘部适合啮合该线圈。37.如申请专利范围第36项所述之固定器,其中该扣件又包含一个螺母具有螺纹部及凸缘部,及该柱具有螺纹部适合啮合及固持螺母之螺纹部。38.一种用以支撑线圈于半导体制造系统之方法,该系统具有一个壁而沉积材料沉积于该壁上,该方法包含:设置一个底件于壁上;设置一个第一盖件于底件上及支撑线圈,该盖件及底件介于底件与第一盖件间界定多条之通道,其中第一盖件及底件中之至少一者系由绝缘材料制成;及使用第二盖件至少部分遮盖第一盖件。39.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该第一及第二盖件各自为杯形。40.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该第二盖件包含导电金属。41.如申请专利范围第38项所述之方法,其又包含以一电位准位对第二盖件施加偏压而抑制第二盖件之溅镀。42.如申请专利范围第41项所述之方法,其中该第二盖件系耦合至电接地。43.如申请专利范围第38项所述之方法,其中该第二盖件系与第一盖件隔开而介于第一与第二盖件间界定一条通路。44.如申请专利范围第38项所述之方法,其又包含导引RF电流通过容纳于绝缘底件之第一导电件。45.如申请专利范围第44项所述之方法,其又包含导引RF电流通过设置于壁之一面上之第二导电件且适合电耦合至第一导电件,及设置第二绝缘底件介于第二导电件与壁间俾绝缘第二导电件与壁。46.如申请专利范围第45项所述之方法,其又包含使用第一扣件扣接第一及第二导电件。47.如申请专利范围第46项所述之方法,其又包含使用第二扣件扣接第二盖件至壁。48.如申请专利范围第47项所述之方法,其又包含使用由第二盖件界定之通路通风第二扣件。图式简单说明:第一图为根据本发明之一个具体例之电浆产生腔室之透视部分剖面图。第二图为第一图之电浆产生腔室安装于真空腔室之部分剖面图。第三图为根据本发明之另一具体例之电浆产生腔室之部分剖面图。第四图为第二图之电浆产生腔室之线圈固定器之剖面图。第五图为第二图之电浆产生腔室之线圈馈穿固定器之剖面图。第六图为第一图之电浆产生腔室之电互连之示意图。第七图为根据另一具体例之线圈固定器之剖面图。第八图为根据另一具体例之线圈馈穿固定器之剖面图。 |
