| 主权项 |
1.一种细胞坏死装置,包括:一具有足够尖锐以穿透组织之末端的引入器;以及一能量传送设备,包含一第一组RF电极及一第二组RF电极,其第一及第二组之每个RF电极具有一组织刺穿末端且可被置于引入器中,当引入器被推进通过组织时,第一及第二组RF电极可展开以弯曲自引入器,其中第二组RF电极可展开一较大距离自引入器,相较于第一组RF电极。2.如申请专利范围第1项之装置,进一步包括:一具有一组织刺穿末端之可展开构件,可展开构件可置于引入器中(当引入器被推进通过组织),可展开构件可展开自引入器以较第一及第二组RF电极为小的弯曲。3.如申请专利范围第2项之装置,其中可展开构件之至少一部分为一RF电极。4.如申请专利范围第2项之装置,进一步包括:一耦合至可展开构件之一末梢部分的感应器。5.如申请专利范围第3项之装置,进一步包括:一耦合至可展开构件之一末梢部分的感应器。6.如申请专利范围第2项之装置,进一步包括:一被置于可展开构件之一外部的绝缘器。7.如申请专利范围第3项之装置,进一步包括:一被置于可展开构件之至少一部分的绝缘器。8.如申请专利范围第1项之装置,其中第一及第二组RF电极之至少一部分RF电极具有一非圆形的横段面几何形状。9.如申请专利范围第8项之装置,其中非圆形之横段面几何形状包含一宽度及一长度,其中长度大于宽度。10.如申请专利范围第1项之装置,其中第一及第二组RF电极之至少一部分RF电极具有一非圆形的横段面几何形状,此几何形状具有可被超音波观看之一足够的外部表面积。11.如申请专利范围第1项之装置,其中第一及第二组RF电极之至少一部分RF电极具有其为超音波可观看之一组织刺穿末端。12.如申请专利范围第1项之装置,其中第一及第二组RF电极之至少一部分RF电极具有一组织刺穿末端,此组织刺穿末端具有至少25之一切角。13.如申请专利范围第1项之装置,其中第一及第二组RF电极之至少一部分RF电极具有一组织刺穿末端,此组织刺穿末端具有至少30之一切角。14.如申请专利范围第2项之装置,其中可展开构件之组织刺穿末端为超音波可观看的。15.如申请专利范围第1项之装置,其中可展开构件之组织刺穿末端具有至少25之一切角。16.如申请专利范围第1项之装置,其中可展开构件之组织刺穿末端具有至少30之一切角。17.如申请专利范围第1项之装置,进一步包括:一耦合至第一及第二组RF电极之一RF电极的垫片构件。18.如申请专利范围第17项之装置,其中垫片构件可推进自引入器。19.如申请专利范围第17项之装置,其中垫片构件可推进自其具有RF电极之引入器。20.如申请专利范围第17项之装置,其中垫片构件包含一RF绝缘,其电地隔绝RF电极自垫片构件。21.如申请专利范围第20项之装置,其中垫片构件之至少一部分为一RF电极。22.如申请专利范围第1项之装置,进一步包括:一耦合至能量传送设备之第一感应器。23.如申请专利范围第1项之装置,进一步包括:耦合至第一组RF电极之一电极的一个第一感应器及一个第二感应器。24.如申请专利范围第23项之装置,其中第一及第二感应器被耦合至电极的不同外部表面位置。25.如申请专利范围第23项之装置,进一步包括:一耦合至第二组RF电极之一电极的第三感应器。26.如申请专利范围第25项之装置,进一步包括:一耦合至第二组RF电极之一电极的第四感应器。27.如申请专利范围第25项之装置,其中第三及第四感应器被耦合至电极的不同外部表面位置。28.如申请专利范围第23项之装置,进一步包括:耦合至第二组RF电极之一电极的不同外部表面位置之一第三感应器及一第四感应器。29.如申请专利范围第1项之装置,进一步包括:一耦合至第一组RF电极之一第一电极的第一感应器以及一耦合至第一组RF电极之一第二电极的第二感应器。30.如申请专利范围第29项之装置,进一步包括:一耦合至第二组RF电极之一第一电极的第三感应器。31.如申请专利范围第30项之装置,进一步包括:一耦合至第二组RF电极之一第二电极的第四感应器。32.如申请专利范围第1项之装置,其中第一组RF电极包含一第一电极及一第二电极,而第二组RF电极包含一第三电极及一第四电极。33.如申请专利范围第1项之装置,进一步包括:一被置于第一组RF电极之一第一电极的一个外部表面上的第一绝缘构件。34.如申请专利范围第33项之装置,进一步包括:一被置于第一组RF电极之一第二电极的一个外部表面上的第二绝缘构件。35.如申请专利范围第1项之装置,进一步包括:一耦合至第一组RF电极之一第一电极的第一绝缘构件,此第一绝缘构件包含一第一绝缘部位(其延伸于第一电极之一第一外部位置周围),及一第二绝缘部位(其延伸于第一电极之一第二外部位置周围),第一电极具有被置于第一与第二绝缘部位之间的一个活性能量传送表面。36.如申请专利范围第35项之装置,进一步包括:一耦合至第一组RF电极之一第二电极的第二绝缘构件,此第二绝缘构件包含一第一绝缘部位(其延伸于第二电极之一第一外部位置周围),及一第二绝缘部位(其延伸于第二电极之一第二外部位置周围),第二电极具有被置于第一与第二绝缘部位之间的一个活性能量传送表面。37.如申请专利范围第36项之装置,进一步包括:一耦合至第二组RF电极之一第一电极的第三绝缘构件,此第三绝缘构件包含一第一绝缘部位(其延伸于第一电极之一第一外部位置周围),及一第二绝缘部位(其延伸于第一电极之一第二外部位置周围),第一电极具有被置于第一与第二绝缘部位之间的一个活性能量传送表面。38.如申请专利范围第37项之装置,进一步包括:一耦合至第二组RF电极之一第二电极的第四绝缘构件,此第四绝缘构件包含一第一绝缘部位(其延伸于第二电极之一第一外部位置周围),及一第二绝缘部位(其延伸于第二电极之一第二外部位置周围),第二电极具有被置于第一与第二绝缘部位之间的一个活性能量传送表面。39.如申请专利范围第1项之装置,进一步包括:一耦合至第一组RF电极之一第一电极的第一绝缘构件,此第一绝缘构件延伸沿着第一电极之一第一纵向外部表面并留下一非绝缘的活性能量传送表面(其延伸沿着第一电极之一第二纵向外部表面)。40.如申请专利范围第39项之装置,进一步包括:一耦合至第一组RF电极之一第二电极的第二绝缘构件,此第二绝缘构件延伸沿着第二电极之一第一纵向外部表面并留下一非绝缘的活性能量传送表面(其延伸沿着第二电极之一第二纵向外部表面)。41.如申请专利范围第40项之装置,进一步包括:一耦合至第二组RF电极之一第一电极的第三绝缘构件,此第三绝缘构件延伸沿着第一电极之一第一纵向外部表面并留下一非绝缘的活性能量传送表面(其延伸沿着第一电极之一第二纵向外部表面)。42.如申请专利范围第41项之装置,其中第一、第二及第三绝缘构件各被放置以朝向一所选定组织位置之一中心轴。43.如申请专利范围第41项之装置,其中第一、第二及第三绝缘构件被放置以背向一所选定组织位置之一中心轴。44.如申请专利范围第41项之装置,进一步包括:一耦合至第二组RF电极之一第二电极的第四绝缘构件,此第四绝缘构件延伸沿着第二电极之一第一纵向外部表面并留下一非绝缘的活性能量传送表面(其延伸沿着第二电极之一第二纵向外部表面)。45.如申请专利范围第41项之装置,进一步包括:一耦合至第二组RF电极之一第二电极的第四绝缘构件,第二绝缘构件延伸沿着第二电极之一第一纵向外部表面并留下一非绝缘的活性能量传送表面(其延伸沿着第一电极之一第二纵向外部表面)。46.如申请专利范围第45项之装置,其中第一、第二、第三及第四绝缘构件各被放置以朝向一所选定组织位置之一中心轴。47.如申请专利范围第45项之装置,其中第一、第二、第三及第四绝缘构件被放置以背向一所选定组织位置之一中心轴。48.一种细胞坏死装置,包括:一具有足够尖锐以穿透组织之末端的引入器;以及一能量传送设备,包含一第一RE电极、一第二RF电极及一第三RF电极,每个第一、第二及第三RF电极具有一组织刺穿末端且可被置于引入器中,当引入器被推进通过组织时,第一及第二RF电极可选择性地展开以弯曲自引入器至一组织位置,第三RF电极可展开自引入器以较第一及第二RF电极为小的弯曲。49.如申请专利范围第48项之装置,进一步包括:一具有可置于引入器之一近端部分之一近端部分的可滑动构件;以及一被置于引入器之近端部分的电极接触构件。50.如申请专利范围第49项之装置,其中电极接触构件被耦合至能量传送设备。51.如申请专利范围第50项之装置,其中可滑动构件包含一耦合至可滑动构件之感应器。52.如申请专利范围第51项之装置,其中感应器可啮合与电极接触构件以耦合一能量源至能量传送设备。53.如申请专利范围第48项之装置,其中第三电极可基本上无弯曲地展开自引入器。54.如申请专利范围第48项之装置,进一步包括:一耦合至第一组RF电极、第二组RF电极及第三组RF电极之RF电极推进构件。55.一种细胞坏死装置,包括:一具有足够尖锐以穿透组织之末端的引入器;以及一能量传送设备,包含一第一RF电极及一第二RF电极,其各具有一组织刺穿末端且可被置于引入器中,当引入器被推进通过组织时,第一及第二RF电极可选择性地展开以弯曲自引入器至一组织位置;一可展开构件,此可展开构件具有一组织刺穿末端且可被置于引入器中,当引入器被推进通过组织时,此可展开构件可展开自引入器以较第一及第二RF电极为小的弯曲;以及一耦合至可展开构件之感应器。56.如申请专利范围第55项之装置,其中感应器被置于可展开构件之一末梢部分。57.如申请专利范围第55项之装置,其中感应器被置于可展开构件之一末端。58.如申请专利范围第55项之装置,进一步包括:一耦合至第一及第二RF电极之推进构件。59.如申请专利范围第58项之装置,其中推进构件被耦合至可展开构件。60.如申请专利范围第55项之装置,其中可展开构件是RF电极。61.如申请专利范围第55项之装置,其中可展开构件是接地垫电极。62.如申请专利范围第55项之装置,其中能量传送设备以单极方式操作。63.如申请专利范围第55项之装置,其中能量传送设备以双极方式操作。图式简单说明:第一图为具有两个可展开电极及一可展开构件于一选定之细胞坏死组织位置上的一种本发明之细胞坏死装置之一横断面图。第二图(a)显示具有一第一及一第二组可展开电极之本发明的一种细胞坏死装置之一实施例的横断面图。第二图(b)显示位于一目标细胞坏死组织位置上之第二图(a)的细胞坏死装置。第三图显示具有耦合至电极之多个感应器的本发明之一细胞坏死装置的一个实施例。第四图显示利用以本发明之一细胞坏死装置的一个电极之一球形的横断面。第五图显示利用以本发明之一细胞坏死装置的一个电极之一椭圆的横断面。第六图显示利用以本发明之一细胞坏死装置的一个电极之一横断面,其具有大于宽度之一横断面长度。第七图显示利用以本发明之一细胞坏死装置的一个电极之一横断面,其具有一平坦状之外表面。第八图为本发明之一细胞坏死装置的一个透视图,此细胞坏死装置包含置于电极之外表面上的绝缘套筒。第九图为本发明之一细胞坏死装置的一个透视图,此细胞坏死装置包含多个周边地绝缘所选定之电极的区域的绝缘套筒。第十图为本发明之一细胞坏死装置的一个透视图,此细胞坏死装置之绝缘延伸沿着电极之纵向区域以界定邻近之纵向能量传送表面。第十一图为沿着第十图之线段11-11所取得之细胞坏死装置的一个横断面图。第十二图为本发明之一细胞坏死装置的一个透视图,此细胞坏死装置之绝缘延伸沿着电极之纵向区域且并未连续至电极之末端。第十三图为一横断面图以显示放置电极于邻近一选定之组织位置,其具有绝缘延伸沿着电极之一纵向表面,且绝缘面对远离所选定之组织位置之一中心轴。第十四图为一横断面图以显示放置电极于一所选定之组织位置,其具有绝缘延伸沿着电极之一纵向表面,且绝缘面对朝向所选定之组织位置之一中心轴。第十五图为一电极主体之一表面区域的一个特写透视图,于本发明之一细胞坏死装置之一电极之一末端上。第十六图为本发明之一细胞坏死装置之一透视图,其具有与每个展开之电极有关的垫片(spacer)。第十七图为本发明之一细胞坏死装置之一横断面图,其显示一垫片、一相关之电极及垫片内之绝缘。第十八图为本发明之一细胞坏死装置之一实施例的一个横断面图,其包含一可滑动之构件以啮合一电源至一耦合到电极之接点(contact)。第十九图为第十八图之装置之一横断面图,以可滑动构件向后拉并解开电源自电极。第二十图为一方块图以显示包含本发明之一控制器、电磁能量源及其他电子元件。第二十一图为一方块图以显示本发明所使用之一类比放大器、类比多工器及微处理器。 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