| 发明名称 |
LOW-RESISTANCE VDMOS SEMICONDUCTOR COMPONENT |
| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein niederohmiges VDMOS-Halbleiterbauelement und insbesondere einen VDMOS-Transistor oder einen vertikalen IGBT mit planarer Gatestruktur, bei dem im Bereich des Bodens (26) eines Grabens (6) ein diesen Bereich umgebendes Gebiet (27) des anderen Leitungstyps vorgesehen ist und der Graben (6) wenigstens teilweise mit Isoliermaterial (31) gefüllt ist.
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| 申请公布号 |
WO0070654(A3) |
申请公布日期 |
2001.07.19 |
| 申请号 |
WO2000DE01155 |
申请日期 |
2000.04.13 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;TIHANYI, JENOE;WERNER, WOLFGANG |
发明人 |
TIHANYI, JENOE;WERNER, WOLFGANG |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/739;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/331 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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