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发明名称 Bestimmungsverfahren für Fehler in einem Gateisolierfilm in Halbleitereinrichtungen
摘要
申请公布号 DE19653177(C2) 申请公布日期 2001.07.19
申请号 DE19961053177 申请日期 1996.12.19
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 KATAYAMA, TOSHIHARU;OHTANI, NAOKO;IMAI, YUKARI
分类号 H01L21/3063;H01L21/66;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/66 主分类号 H01L21/3063
代理机构 代理人
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