| 发明名称 | 通过掺杂形成抗电迁移结构的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种形成电子结构中铜导体的方法,首先将铜组分沉积到电子结构中形成的塞孔中,然后将杂质加入铜组分以改进其抗电迁移性。该方法中,通过如电镀、物理汽相沉积和化学汽相沉积的技术能沉积铜组分。可注入的杂质包括C、O、C1、S和N,适当的浓度范围在约0.01ppm重量与约1000ppm重量之间。该方法还包括步骤:在导体先整平后,离子注入至少一种元素到铜导体的表面层中。该表面层可具有约30埃到约500埃之间的厚度。该至少一种元素可从Co、Al、Sn、In、Ti与Cr中选择。 | ||
| 申请公布号 | CN1304168A | 申请公布日期 | 2001.07.18 |
| 申请号 | CN99127776.7 | 申请日期 | 1999.12.02 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 潘纳约蒂斯·C·安德里卡科斯;小西里尔·卡布拉尔;克里斯托弗·C·帕克斯;肯尼思·P·罗德贝尔;罗杰·延－吕·特赛 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/283;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/532 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1．一种形成电子结构中铜导体的方法，包括下列步骤：提供电子结构；形成用于所述电子结构中导体的塞孔；在所述塞孔中沉积铜组分；以及向所述铜组分中加入至少一种杂质使其抗电迁移性提高。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||