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Eine dielektrische Schicht aus Silicaglas wird durch plasmaverstärkte chemische Dampfablagerung (PECVD) gebildet, wobei ein gasförmiger Präkursor der dielektrischen Schicht in Anwesenheit eines elektromagnetischen Feldes in eine Ablagerungskammer gegeben wird. Die Zufuhr des gasförmigen Präkursors wird unterbrochen, während das elektromagnetische Feld nach der Unterbrechung der Zufuhr des gasförmigen Präkursors weiter für eine Verzögerungszeit beibehalten wird, die 0,5 Sekunden überschreitet. Dies verbessert die hydrophilen Eigenschaften des Films. Auf der dielektrischen Schicht wird ein auf Siloxan basierender SOG-Film abgelagert.
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