摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf eine Leiterplatte mit einer wärmeableitenden Aluminiumplatte und ein Verfahren zu seiner Herstellung, wobei auf die Aluminiumplatte eine Isolierschicht aufgebracht wird und danach eine Kupferschicht aufgetragen wird. Um mit einem solchen Verfahren auf einfache Weise eine Aluminiumplatte mit einer thermischen und galvanischen Verbindung zwischen der Aluminiumplatte (1) und der Kupferschicht (13, 14) herstellen zu können, wird erfindungsgemäss zumindest im Bereich des galvanischen Verbindungsstelle auf der Aluminiumplatte (1) eine Aluminium-Zinkat-Schicht (11, 12) gebildet, auf die eine Kupferbeschichtung (13, 14) aufgebracht wird; die Kupferbeschichtung (13, 14) und daneben liegende Oberflächenbereiche werden mit einer Kupferlage (15, 16) unter Herstellen der galvanischen Verbindungsstelle überzogen.
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申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;PPC ELEKTRONIC AG;STRAEHLER, BERND;MEHLHORN, TORSTEN;SOMMER, VOLKMAR;SCHNEIDER, MANUELA;TRODLER, JOERG;STRAUB, PETER;NIGG, THOMAS |
发明人 |
STRAEHLER, BERND;MEHLHORN, TORSTEN;SOMMER, VOLKMAR;SCHNEIDER, MANUELA;TRODLER, JOERG;STRAUB, PETER;NIGG, THOMAS |