| 摘要 |
<p>절연 기판 위에 게이트선 및 게이트선으로부터 수직한 방향으로 게이트선 가지가 연장되어 있다. 또한, 게이트선과 평행하게 공통 전극선이 형성되어 있고, 공통 전극선과 게이트선 사이에서 공통 전극선으로부터 수직한 방향으로 공통 전극선 가지가 연장되어 있다. 게이트 절연막이 전면에 형성되어 있고, 그 위에는 게이트선 가지와 평행하게 제1 데이터 배선이 형성되어 있으며, 게이트선 가지 위에는 반도체층이 형성되어 있다. 제1 데이터선을 제2 데이터선이 덮고 있고, 제2 데이터선으로부터 소스 전극이 연장되어 반도체층의 한쪽 가장자리와 중첩되어 있으며, 소스 전극과 분리된 채 드레인 전극이 반도체층의 가장자리와 중첩되어 있다. 화소 전극선은 드레인 전극으로부터 전단 화소쪽으로 연장되어 전단 화소의 게이트선 가지를 따라 중첩되어 있어서 화소 전극선과 게이트선 가지 사이에는 유지 용량이 형성된다. 보호막이 전면에 형성되어 있고, 보호막 위에는 다수의 화소 전극 및 다수의 공통 전극이 게이트선과 나란하게 화소의 단축 방향으로 형성되어 있는데, 이 화소 전극 및 공통 전극은 각각 화소 전극선 및 공통 전극선 가지과 전기적으로 연결된다. 이처럼, 유지 용량이 화소의 장축 방향으로 형성된 화소 전극선과 게이트선 가지를 중첩시켜 형성하면, 개구율이 향상된다.</p> |
