| 主权项 |
1.一种双重离子/电子源的装置,用以产生一离子束及一电子束两者之一,其中该离子束与该电子束之射出方向相同,该装置至少包括:一金属供应装置,包括一加热器、一金属尖针与一金属储存槽,用以产生该离子束与该电子束;一萃取电极,用以萃取出该离子束与该电子束;一电压供应系统,包括一离子/电子束电压供应器,藕接至该金属供应装置,用以提供一稳定电压以产生该离子束及该电子束两者之一,及一萃取电压供应器,藕接至该萃取电极,藉以提供该萃取电极于萃取出该离子束及该电子束两者之一时所需之一萃取电压;以及一加热电流供应器,藕接至该金属供应装置之该加热器,提供一加热电流,藉以使该金属储存槽中之一金属融化。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该金属融化后会于该金属尖针表面形成一薄膜。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该金属为一金属元素。4.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该金属为一合金。5.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该萃取电压供应器为一双极性之高电压供应器。6.如申请专利范围第5项所述之装置,其中该萃取电压供应器于提供一负萃取电压时,取得一离子束。7.如申请专利范围第5项所述之装置,其中该萃取电压供应器于提供一正萃取电压时,取得一电子束。8.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该离子/电子束电压供应器为一双极性之高电压供应器。9.一种双重离子/电子源的装置,用以产生一离子束及一电子束两者之一,其中该离子束与该电子束之射出方向相同,该装置至少包括:一金属储存槽,内储存有一金属;一金属尖针,与该金属储存槽相接;一加热器,耦接至该金属储存槽,加热该金属以产生该离子束与该电子束;一萃取电极,用以萃取出该离子束与该电子束;一离子/电子束电压供应器,藕接至该金属供应装置,用以提供一稳定电压以产生该离子束及该电子束两者之一;一萃取电压供应器,藕接至该萃取电极,藉以提供该萃取电极于萃取出该离子束及该电子束两者之一时所需之一萃取电压;以及一加热电流供应器,藕接至该金属供应装置之该加热器,提供一加热电流,藉以使该金属储存槽中之该金属融化。10.如申请专利范围第9项所述之装置,其中该金属融化后会于该金属尖针表面形成一薄膜。11.如申请专利范围第9项所述之装置,其中该金属为一金属元素。12.如申请专利范围第9项所述之装置,其中该金属为一合金。13.如申请专利范围第9项所述之装置,其中该萃取电压供应器为一双极性之高电压供应器。14.如申请专利范围第13项所述之装置,其中该萃取电压供应器于提供一负萃取电压时,取得一离子束。15.如申请专利范围第13项所述之装置,其中该萃取电压供应器于提供一正萃取电压时,取得一电子束。16.如申请专利范围第9项所述之装置,其中该离子/电子束电压供应器为一双极性之高电压供应器。17.一种双重离子/电子源装置的操作方法,包括下列步骤:提供一金属供应装置,该金属供应装置包括一金属尖针、一加热器与一金属储存槽,用以提供一电子束与一离子束两者之一;提供一萃取电极;提供一电压供应系统,包括一离子/电子束电压供应器,藕接至该金属供应装置,用以提供一稳定电压以产生该离子束及该电子束两者之一,及一萃取电压供应器,藕接至该萃取电极,藉以提供该萃取电极一萃取电压,以取出该离子束及该电子束两者之一;提供一加热电流供应器,用以产生一加热电流于该加热器上;利用该加热电流融化该金属储存槽内的一金属,并提供一负的萃取电压,以产生一稳定的离子束;停止供应该加热电流,而继续维持该负的萃取电压,以冷却该金属,使该金属凝固于该金属尖针之表面,形成一薄膜;以及供应一正的萃取电压,以产生一电子束。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该金属为一低熔点之金属元素。19.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该金属为一低熔点之合金。20.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该离子/电子束电压供应器为一双极性之高电压供应器。21.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该萃取电压供应器为一双极性之高电压供应器。图式简单说明:第一图绘示为习知的一种具两独立光学系统的系统简示图;第二图a绘示依照本发明一较佳实施例中,使用一种典型的金属供应装置的简示图;第二图b绘示为第二图a中金属供应装置的局部放大图;以及第三图至第五图绘示为本发明一较佳实施例中,切换离子源/电子源的装置操作简示图。 |
