发明名称 | 薄膜式锰铜超高压力传感器 | ||
摘要 | 本发明为薄膜式锰铜超高压力传感器,无机绝缘材料基板1上有沉积的锰铜薄膜2和电极3,锰铜薄膜2和电极3上覆盖有无机绝缘薄膜4。锰铜簿膜2可用掩模或光刻方法刻蚀出图形,直接覆盖于基板上或电极上。电极3为铜或复合金属薄膜,厚度为1—10μm。基板1和无机绝缘薄膜4的材料为氧化铝或氧化镁或熔融石英。绝缘薄膜4的厚度为3—20μm。锰铜薄膜2、电极3和无机绝缘薄膜4用磁控溅射或射频溅射或离子束溅射或激光蒸发或电子束蒸发方法来沉积。本发明结构简单,制造容易。能对50Gpa以上的压力进行精确地测量,响应快。 | ||
申请公布号 | CN1303005A | 申请公布日期 | 2001.07.11 |
申请号 | CN01107159.1 | 申请日期 | 2001.02.22 |
申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 杨邦朝;杜晓松;周鸿仁;刘秀蓉;徐蓓娜 |
分类号 | G01L5/14 | 主分类号 | G01L5/14 |
代理机构 | 四川省专利服务中心 | 代理人 | 冯忠亮 |
主权项 | 1、薄膜式锰铜超高压力传感器,其特征在于无机绝缘材料基板(1)上有沉积的锰铜薄膜(2)和电极(3),锰铜薄膜(2)和电极(3)上覆盖有无机绝缘薄膜(4)。 | ||
地址 | 610054四川省成都市建设北路二段四号 |