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发明名称
Flash-Schreibeverfahren mit niedrigem Strom und Halbleiterspeicherschaltung nach einem solchen Verfahren
摘要
申请公布号
DE69427330(D1)
申请公布日期
2001.07.05
申请号
DE19946027330
申请日期
1994.09.03
申请人
NEC CORP., TOKIO/TOKYO
发明人
KUSAKARI, TAKASHI
分类号
G11C11/409;G11C7/20;G11C7/22;G11C11/401;(IPC1-7):G11C7/00;G11C11/407
主分类号
G11C11/409
代理机构
代理人
主权项
地址
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