| 摘要 |
<p>Eine Schaltungsanordnung für einen integrierten Halbleiterspeichers weist Speicherzellen (MC) auf, die in einem matrixförmigen Speicherzellenfeld (1) angeordnet sind und zu adressierbaren Einheiten von Spaltenleitungen (BL) und Zeilenleitungen (WL) zusammengefaßt sind. Ein Decoder (10) zur Auswahl einer der Spaltenleitungen (BL) mittels eines Spaltenauswahlsignals (S11) weist einen Anschluß (12) für ein Eingangssignal (S12) auf zur Aktivierung des Spaltenauswahlsignals (S11). Ein Zeilenaktivierungssignal (S21) dient zur Aktivierung einer Zeilenzugriffs-Signalfolge (S22, S23). Der Anschluß (12) für das Eingangssignal (S12) des Decoders (10) ist mit einem Signal (S22) aus der Zeilenzugriffs-Signalfolge (S22, S23) verbunden, das anzeigt, daß der Zeilenzugriff abgeschlossen ist. Durch aufeinanderfolgende Signale im Prozeß des Speicherzugriffs wird verhindert, daß der Spaltenzugriff vor dem Ende des Zeilenzugriffs stattfindet. Der Speicherzugriff wird in selbstjustierender Weise gesteuert. <IMAGE></p> |
