| 发明名称 | 电阻率测量用外延晶片的制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及对其表面上具有n－型或p－型外延层的硅晶片进行评价的方法,在第一实施例中,通过在有氧条件下把晶片暴露于紫外线,在n－型外延晶片表面上形成氧化层。然后对晶片进行电容－电压测量,评价外延层性能。在第二实施例中,通过在晶片表面上经过包含惰性载体气体和氢氟酸蒸汽的气态混合物,从p－型外延晶片表面溶解氧化层。然后对晶片进行电容－电压测量,评价外延层性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1302454A | 申请公布日期 | 2001.07.04 |
| 申请号 | CN99806464.5 | 申请日期 | 1999.05.05 |
| 申请人 | MEMC电子材料有限公司 | 发明人 | 吉奥瓦尼·瓦卡里 |
| 分类号 | H01L21/66;G01R27/26 | 主分类号 | H01L21/66 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1．一种对其表面上具有n-型外延层的硅晶片进行评价的方法，该方法包括：通过在含氧气氛中把晶片暴露于紫外线，氧化晶片表面；以及对氧化的晶片进行电容-电压测量以评价n-型外延层。 | ||
| 地址 | 美国密苏里 | ||