| 主权项 |
1.一种自行对准金属矽化物闸极的制造方法,适用于一基底上,包括下列步骤:形成一闸极结构于该基底之上,该闸极结构包含一多晶矽闸极与该多晶矽闸极上方之一沈积选择层,该沈积选择层具有一厚度;形成一源极/汲极区于该闸极结构两侧之该基底中;选择性形成一介电层于该基底上方,其中形成于该源极/汲极区上之该介电层的一厚度大于形成于该沈积选择层上之该介电层的一厚度;移除部分的该介电层,直至该沈积选择层暴露出来为止;移除该沈积选择层,以暴露出该多晶矽闸极;以及形成一自行对准金属矽化物于该多晶矽闸极之上,即完成一自行对准金属矽化物闸极。2.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中选择性形成该介电层的方法,包括一选择性沈积。3.如申请专利范围第2项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该介电层为一氧化矽层,且以该选择性沈积形成该氧化矽层的方法包括以O3/TEOS为反应气体进行一化学气相沈积步骤。4.如申请专利范围第3项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该沈积选择层为一氮化钛层,且形成于该源极/汲极区上方之该氧化矽层之该厚度与形成于该沈积选择层上方之该氧化矽层之该厚度的比例,系以调整该沈积选择层之该厚度的方式来控制。5.如申请专利范围第3项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该沈积选择层为一氮化钛层,且形成于该源极/汲极区上方之该氧化矽层之该厚度与形成于该沈积选择层上方之该氧化矽层之该厚度的比例,系以调整该化学气相沈积步骤中反应气体之O3与TEOS比値的方式来控制。6.如申请专利范围第3项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该化学气相沈积步骤所使用之方法包括常压化学气相沈积。7.如申请专利范围第3项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该化学气相沈积步骤所使用之方法包括次常压化学气相沈积。8.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该介电层包括一氧化矽层。9.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该沈积选择层之材质包括氮化钛。10.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中形成该自行对准金属矽化物于该多晶矽闸极上的方法包括下列步骤:形成一金属层于该基底之上;进行之一第一高温制程,使该金属层与该多晶矽闸极反应以生成一自行对准金属矽化物,该第一高温制程之温度介于400℃至800℃之间;移除未反应之该金属层;以及进行之一第二高温制程,以降低该自行对准金属矽化物之电阻,该第二高温制程之温度介于800℃至1000℃之间。11.如申请专利范围第10项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该金属层之材质为钛、钴、钨、镍、钯、或铂。12.如申请专利范围第10项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该第一高温制程与该第二高温制程所使用之方法包括快速热制程。13.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该源极/汲极区上方之该介电层之厚度约为该沈积选择层上方之该介电层之厚度的5倍以上。14.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中位于该源极/汲极区上方之该介电层的厚度介于500至1000之间。15.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中位于该沈积选择层上方之该介电层的厚度介于100至200之间。16.一种自行对准金属矽化物闸极的制造方法,适用于一基底上,包括下列步骤:形成一闸极结构于该基底之上,该闸极结构包含一多晶矽闸极与该多晶矽闸极上方之一沈积选择层,该沈积选择层具有一厚度;形成一源极/汲极区于该闸极结构两侧之该基底中;进行一选择性沉积步骤,于该源极/汲极区上形成厚度较厚而于该沈积选择层上形成厚度较薄一介电层;移除部分的该介电层,直至该沉积选择层暴露出来为止;移除该沈积选择层,以暴露出该多晶矽闸极;以及形成一自行对准金属矽化物于该多晶矽闸极之上,即完成一自行对准金属矽化物闸极。17.如申请专利范围第16项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该介电层为一氧化矽层,且以该选择性沈积形成该氧化矽层的方法包括以O3/TEOS为反应气体进行一化学气相沈积步骤。18.如申请专利范围第17项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该沈积选择层为一氮化钛层,且形成于该源极/汲极区上方之该氧化矽层之该厚度与形成于该沈积选择层上方之该氧化矽层之该厚度的比例,系以调整该沈积选择层之该厚度的方式来控制。19.如申请专利范围第17项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该沈积选择层为一氮化钛层,且形成于该源极/汲极区上方之该氧化矽层之该厚度与形成于该沈积选择层上方之该氧化矽层之该厚度的比例,系以调整该化学气相沈积步骤中反应气体之O3与TEOS比値的方式来控制。20.如申请专利范围第16项所述之自行对准金属矽化物闸极的制造方法,其中该自行对准金属矽化物之材质包括矽化钛、矽化钴、矽化钨、矽化镍、矽化钯、或矽化铂。图式简单说明:第一图A-第一图C所绘示为习知技艺中,自行对准金属矽化物闸极的制造方法。第二图A-第二图G所绘示为本发明之较佳实施例中,自行对准金属矽化物闸极的制造方法。 |
