| 主权项 |
1.一种自行对准金属矽化物之阻隔制程,适用于一基底,该基底上已形成有一隔离层、内部电路之一金氧半电晶体、与一静电放电元件,其中该隔离层系位于该金氧半电晶体与该静电放电元件之间,该制程包括下列步骤:形成一阻隔层于该基底之上,该阻隔层之材质与该隔离层相异;形成图案化之一屏蔽层于该阻隔层之上,该屏蔽层暴露出位于该金氧半电晶体上方之该阻隔层;以该屏蔽层为罩幕进行一等向性蚀刻步骤,藉以除去暴露出之该阻隔层;以及形成复数个自行对准金属矽化物于该金氧半电晶体元件之上。2.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中在进行该等向性蚀刻步骤时,该阻隔层之蚀刻速率远大于该隔离层之蚀刻速率。3.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中在进行该等向性蚀刻步骤时,该阻隔层之蚀刻速率远大于与该屏蔽层之蚀刻速率。4.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中该隔离层之材质包括氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中该阻隔层包括一氮化矽层。6.如申请专利范围第5项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中等向性蚀刻该氮化矽层时所使用之蚀刻剂包括热磷酸。7.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中形成图案化之该屏蔽层的方法包括下列步骤:形成一屏蔽材料于该阻隔层之上;形成图案化之一光阻层于该屏蔽材料之上,该光阻层暴露出位于该金氧半电晶体上方之该屏蔽材料;以该光阻层为罩幕进行一湿蚀刻步骤,以除去暴露出之该屏蔽材料;以及除去该光阻层。8.如申请专利范围第7项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中该屏蔽材料之材质为氧化矽,且该湿蚀刻步骤所使用之蚀刻剂包括氟化氢。9.如申请专利范围第7项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中该屏蔽材料之材质为氧化矽,且该湿蚀刻步骤所使用之蚀刻剂包括添加缓冲剂之氧化矽蚀刻剂(BOE)。10.如申请专利范围第1项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中该屏蔽层为一光阻层,且该制程中更包括在该等向性蚀刻步骤之后,将该光阻层去除的步骤。11.一种自行对准金属矽化物之阻隔制程,适用于一基底,该基底上形成有一浅沟渠隔离层、内部电路之一金氧半电晶体、与一静电放电元件,其中该浅沟渠隔离层系位于该金氧半电晶体与该静电放电元件之间,该制程包括下列步骤:形成一氮化矽层于该基底之上;形成一屏蔽层于该氮化矽层之上;进行一微影蚀刻制程来图案化该屏蔽层,以暴露出位于该金氧半电晶体上方之该氮化矽层;以该屏蔽层为罩幕,进行一等向性蚀刻步骤以除去暴露出之该氮化矽层;以及形成复数个自行对准金属矽化物于该金氧半电晶体之上。12.如申请专利范围第11项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中在进行该等向性蚀刻步骤时,该氮化矽层之蚀刻速率远大于该浅沟渠隔离层之蚀刻速率。13.如申请专利范围第11项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中在进行该等向性蚀刻步骤时,该氮化矽层之蚀刻速率远大于该屏蔽层之蚀刻速率。14.如申请专利范围第11项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中该等向性蚀刻步骤包括一湿蚀刻步骤。15.如申请专利范围第14项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中该湿蚀刻步骤中所使用之蚀刻剂包括热磷酸。16.如申请专利范围第11项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中该屏蔽层包括一氧化矽层。17.如申请专利范围第16项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中在该微影蚀刻制程中,用来蚀刻该氧化矽层之蚀刻剂包括氢氟酸。18.如申请专利范围第16项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中在该微影蚀刻制程中,用来蚀刻该氧化矽层之蚀刻剂包括添加缓冲剂之氧化矽蚀刻剂(BOE)。19.如申请专利范围第16项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中该氧化矽层之厚度介于200至500之间。20.如申请专利范围第11项所述之自行对准金属矽化物之阻隔制程,其中该氮化矽层之厚度介于200至500之间。图式简单说明:第一图A-第一图C所绘示为习知技艺之自行对准金属矽化物之阻隔制程的流程剖面图。第二图A-第二图D所绘示为本发明较佳实施例之自行对准金属矽化物之阻隔制程的流程剖面图。 |
