| 主权项 |
1.一种用于电子元件先质之制造方法,包含:a)将该等电子元件先质置放于一反应室之中;b)以至少一反应性化学加工流体来接触该等电子元件先质之诸表面一段选取之时间周期;以及c)在该等电子元件先质已暴露于最终之化学加工流体之后,暴露步骤b)之该等电子元件先质于一乾燥流体一段选取之时间周期。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该乾燥流体系选取自含有异丙醇以及稀释之异丙醇之群组。3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该乾燥流体系一蒸气。4.如申请专利范围第3项之制造方法,其中该蒸气系选取自含有异丙醇以及稀释之异丙醇之群组。5.如申请专利范围第2项之制造方法,其中该乾燥流体系稀释有氮气之异丙醇。6.如申请专利范围第4项之制造方法,其中该蒸气系稀释有氮气之异丙醇。7.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该等反应性化学加工流体系选取自下列水性溶液所组成之群组:酸及含其之缓冲剂的水性溶液,氢氧化铵及含其之缓冲剂的水性溶液,过氧化氢水性溶液,硫酸及含其之缓冲剂的水性溶液,硫酸及臭氧之混合物的水性溶液,氢氟酸及含其之缓冲剂的水性溶液,铬酸及含其之缓冲剂的水性溶液,磷酸及含其之缓冲剂的水性溶液,醋酸及含其之缓冲剂的水性溶液,硝酸及含其之缓冲剂的水性溶液,氢氟酸所缓冲之氟化铵的水性溶液,以及其混合物之水性溶液。8.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该反应室系一全流容器。9.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该反应室系一封闭容器。10.如申请专利范围第7项之制造方法,其中该反应性化学加工流体系酸。11.如申请专利范围第7项之制造方法,其中该反应性化学加工流体系过氧化氢12.如申请专利范围第7项之制造方法,其中该反应性化学加工流体系氢氟酸。13.如申请专利范围第7项之制造方法,其中该反应性化学加工流体系一氢氟酸缓冲剂。14.如申请专利范围第7项之制造方法,其中该反应性化学加工流体系一氢氟酸与硝酸缓冲剂。15.一种用于电子元件先质之制造方法,包含:a)放置于该等电子元件先质于一反应室之中;b)在一顺序之步骤中以一系列之反应性化学加工流体来接触该等电子元件先质之诸表面所选取之诸时间周期;c)暴露步骤b)之该等电子元件先质于一乾燥流体于至少一配对之接触该等电子元件先质于反应性化学加工流体之该等顺序步骤之间一段选取之时间周期;以及d)在该等电子元件先质已与该系列之最终反应性化学加工流体之后,乾燥该等电子元件先质。16.如申请专利范围第15项之制造方法,其中该乾燥流体系选取自含有异丙醇以及稀释之异丙醇之群组。17.如申请专利范围第15项之制造方法,其中该乾燥流体系一蒸气。18.如申请专利范围第17项之制造方法,其中该蒸气系选取自含有异丙醇以及稀释之异丙醇之群组。19.如申请专利范围第16项之制造方法,其中该乾燥流体系稀释有氮气之异丙醇。20.如申请专利范围第18项之制造方法,其中该蒸气系稀释有氮气之异丙醇。21.如申请专利范围第15项之制造方法,其中该等反应性化学加工流体系选取自下列水性溶液所组成之群组:酸及含其之缓冲剂的水性溶液,氢氧化铵及含其之缓冲剂的水性溶液,过氧化氢水性溶液,硫酸及含其之缓冲剂的水性溶液,硫酸及臭氧之混合物的水性溶液,氢氟酸及含其之缓冲剂的水性溶液,铬酸及含其之缓冲剂的水性溶液,磷酸及含其之缓冲剂的水性溶液,醋酸及含其之缓冲剂的水性溶液,硝酸及含其之缓冲剂的水性溶液,氢氟酸所缓冲之氟化铵的水性溶液,以及其混合物之水性溶液。22.如申请专利范围第15项之制造方法,其中该反应室系一全流容器。23.如申请专利范围第15项之制造方法,其中该反应室系一封闭容器。24.一种用于电子元件先质之制造方法,包含:a)放置该等电子元件先质于一反应室之中;b)以一氢氧化铵与过氧化氢之水性溶液来接触该等电子元件先质之诸表面一选取之时间周期;c)暴露步骤b)之该等电子元件先质于一乾燥流体一选取之时间周期;d)以一酸与过氧化氢之水性溶液来接触步骤c)之该等电子元件先质一选取之时间周期;e)暴露步骤d)之该等电子元件先质于一乾燥流体一选取之时间周期;f)以一氢氟酸以水性溶液来接触步骤e)之该等电子元件先质一选取之时间周期;以及g)乾燥步骤f)之该等电子元件先质。25.如申请专利范围第24项之制造方法,其中该乾燥法含有一以乾燥流体来处理该等电子元件先质之步骤。26.如申请专利范围第25项之制造方法,其中该乾燥流体系选取自含有异丙醇以及稀释之异丙醇之群组。27.如申请专利范围第24项之制造方法,其中该乾燥流体系选取自含有异丙醇以及稀释之异丙醇之群组。28.如申请专利范围第24项之制造方法,其中该乾燥流体系一蒸气。29.如申请专利范围第24项之制造方法,其中该蒸气系选取自含有异丙醇以及稀释之异丙醇之群组。30.如申请专利范围第24项之制造方法,其中该乾燥流体系稀释有氮气之异丙醇。31.如申请专利范围第24项之制造方法,其中该反应室系一全流容器。32.如申请专利范围第24项之制造方法,其中该反应室系一封闭容器。33.一种用于电子元件先质之制造方法,包含:a)放置该等电子元件先质于一反应室之中;b)以至少一反应性化学加工流体来接触该等电子元件先质之诸表面一段选取之时间周期;以及c)在该等电子元件先质已暴露于最终之化学加工流体之后,暴露步骤b)之该等电子元件先质于一乾燥流体一段选取之时间周期,藉此该乾燥流体从该等电子元件先质之诸表面移去该反应性化学加工流体。34.如申请专利范围第33项之制造方法,其中该乾燥流体直接地从该等电子元件先质之诸表面移去该反应性化学加工流体。35.如申请专利范围第33项之制造方法,其中该乾燥流体以一速率自该等电子元件先质之诸表面移去该反应性化学加工流体,使得实质地并没有反应性化学加工流体残留于该等电子元件先质之诸表面之上。36.如申请专利范围第33项之制造方法,其中该乾燥流体以一速率自该等电子元件先质之诸表面移去该反应性化学加工流体,使得实质地并没有液体之水滴残留于该等电子元件先质之诸表面之上。37.如申请专利范围第34项之制造方法,其中该乾燥流体以一速率直接地自该等电子元件先质之诸表面移去该反应性化学加工流体,使得实质地并没有反应性化学加工流体,使得实质地并没有反应性化学加工流体残留于该等电子元件先质之诸表面之上。38.如申请专利范围第34项之制造方法,其中该乾燥流体以一速率直接地自该等电子元件先质之诸表面移去该反应性化学加工流体,使得实质地并没有液体水滴残留于该等电子元件先质之诸表面之上。39.如申请专利范围第33项之制造方法,其中该乾燥流体系一蒸气。40.如申请专利范围第39项之制造方法,其中该蒸气系选取自含有异丙醇以及稀释之异丙醇之群组。41.如申请专利范围第40项之制造方法,其中该蒸气系稀释有氮气之异丙醇。42.如申请专利范围第33项之制造方法,其中该等反应性化学加工流体系选取自下列水溶液所组成之群组:酸及含其之缓冲剂的水性溶液,氢氧化铵及含其之缓冲剂的水性溶液,过氧化氢水性溶液,硫酸及含其之缓冲剂的水性溶液,硫酸及臭氧之混合物的水性溶液,氢氟酸及含其之缓冲剂的水性溶液,铬酸及含其之缓冲剂的水性溶液,磷酸及含其之缓冲剂的水性溶液,醋酸及含其之缓冲剂的水性溶液,硝及含其之缓冲剂的水性溶液,氢氟酸所缓冲之氟化铵的水性溶液,以及其混合物之水性溶液。 |
