| 主权项 |
1.一种配线电路基板之制造方法,其步骤特征在于包含有:陶瓷基板制作工程;基板表面研磨工程;系将前述陶瓷基板之表面研磨成为0.5m以下之表面粗细度Ra;而于此,设粗细度曲线为y=f(x),该粗细度曲线之中心线方向的抽样长度为L,该抽样部之中心轴为X轴,垂直于X轴之方向为Y轴之时,Ra乃由下式所算出之値,即,感光性导体层形成工程,系形成在前述陶瓷基板之前述表面上;及配线图型形成工程,系将前述感光性导体层作光蚀刻加工,而予形成所定之配线图型。2.如申请专利范围第1项所记载之配线电路基板之制造方法,其中,在前述感光性导体层形成工程上当含有:涂布工程,系在前述陶瓷基板之前述表面予以涂布感光性导体糊剂;及乾燥工程,系予乾燥前述感光性导体糊剂。3.如申请专利范围第1项所记载之配线电路基板之制造方法,其中,在前述配线图型形成工程之前述光蚀刻加工上当含有:露(曝)光工程,系介着光罩而将前述感光性导体层予以露光;及去除工程,系予显像所露光之前述感光性导体层并予去除非露光领域。4.如申请专利范围第1项所记载之配线电路基板的制造方法,其中,在前述感光性导体层形成工程上尚含有:涂布工程,系在前述陶瓷基板之前述表面予以涂布感光性导体糊状物;及乾燥工程,系予乾燥前述感光性导体糊状物;而其中在前述配线图型形成工程之前述光蚀刻加工上尚含有:露光工程,系介着光罩而将前述感光性导体层予以露光;及显像工程,系将所露光之前述感光导体层予以显像。5.如申请专利范围第1项所记载之配线电路基板之制造方法,其中:在前述之研磨工程上系使用具有从约0.1m至约20m之范围的平均粒子径之粉末研磨材予以研磨前述陶瓷基板之前述表面。6.如申请专利范围第1项所记载之配线电路基板的制造方法,其中:在前述配线图型形成工程上之前述配线图型系具有约40m以下之线宽的精密线条。7.如申请专利范围第1项所记载之配线电路基板的制造方法,其中:在前述陶瓷基板制作工程上之前述陶瓷基板系将具有陶瓷粉末及胶合剂之陶瓷绿板,依烧成工程所作成。8.如申请专利范围第1项所记载之配线电路基板的制造方法,其中,前述陶瓷板制作工程上再包含有:制作工程,系予制作多数之绿板;设置工程,系在前述多数之之绿板之内的各个绿板之表面,予以设置其各自之内部电路;及烧成工程,系予积层具有前述各自之内部电路的前述各个之绿板,再予加压并予烧成。9.一种配线电路基板,其构成特征在于含有:陶瓷基板,系具有约0.5m以下之表面粗细度Ra;而于此,设粗细度曲线为y=f(x),该粗细度曲线之中心线方向的抽样长度为L,该抽样部之中心轴为X轴,垂直于X轴之方向为Y轴之时,Ra乃从下式所算出之値,即,配线图型,系在前述陶瓷基板之表面,依光蚀刻予以设置。10.如申请专利范围第9项所记载之配线电路基板,其中:前述配线图型系具有约40m以下之线宽的精密线条。11.如申请专利范围第9项所记载之配线电路基板,其中:前述陶瓷基板系具有陶瓷粉末及胶合剂之陶瓷绿板的烧结体。12.如申请专利范围第9项所记载之配线电路基板,其中:由前述光蚀刻所获得之前述配线图型,系将设置在前述陶瓷基板之前述表面的感光性导体层,介着光罩而将前述感光性导体层作露光,显像所形成之感光性导体层之图型。13.如申请专利范围第9项所记载之配线电路基板,其中:前述陶瓷基板系多数之绿板的积层体之烧结体,而前述多数之绿板的各个绿板,在其表面具有其各自之内部电路。图式简单说明:第一图系表示本发明之一实施例的配线电路基板之制造方法的制造工程之说明图。第二图系表示在本发明之一实施例的配线电路基板之制造方法上的陶瓷基板之表面粗细度曲线的一实施例。第三图系表示本发明之一实施例的配线电路基板之截面图。 |
