| 主权项 |
1.一种自动侧壁氟化铝保护制程,适用于蚀刻一含铝的导电层下方之一阻障层,包括:以一含氟的蚀刻气体和一含氯的蚀刻气体做为该自动侧壁氟化铝保护制程的蚀刻步骤之一蚀刻剂,并调整该蚀刻剂之该含氟的蚀刻气体和该含氯的蚀刻气体之流量比,使对该含铝的导电层之蚀刻速率达到大致为零,以进行该阻障层的蚀刻。2.如申请专利范围第1项所述的制程,其中该自动侧壁氟化铝保护制程的蚀刻步骤中,该蚀刻剂之氯离子对氟离子的比小于1。3.如申请专利范围第2项所述的制程,其中该阻障层包括氮化钛。4.如申请专利范围第2项所述的制程,其中该阻障层包括氮化钨。5.如申请专利范围第2项所述的制程,其中该自动侧壁氟化铝保护制程的蚀刻步骤中,该含氯的蚀刻气体包括Cl2。6.如申请专利范围第2项所述的制程,其中该自动侧壁氟化铝保护制程的蚀刻步骤中,该含氟的蚀刻气体包括CF4和SF6择一。7.一种自动侧壁氟化铝保护制程,包括:调整一混合蚀刻剂中一含氟的蚀刻气体和一含氯的蚀刻气体之流量比,使一含铝的金属层与该含氟的蚀刻气体反应形成AlFx(s),以保护该含铝的金属层裸露出的部份,使该混合蚀刻剂对该含铝的金属层之蚀刻速率大致为零,藉以蚀刻位于该含铝的金属层下之一阻障层。8.如申请专利范围第7项所述的制程,其中该混合蚀刻剂中之氯离子对氟离子的比小于1。9.如申请专利范围第8项所述的制程,其中该阻障层的材质包括氮化钛。10.如申请专利范围第8项所述的制程,其中该阻障层的材质包括氮化钨。11.如申请专利范围第8项所述的制程,其中该含氯的蚀刻气体包括Cl2。12.如申请专利范围第8项所述的制程,其中该含氟的蚀刻气体包括CF4和SF6择一。13.一种内连线制程,该制程包括:进行一第一蚀刻步骤,以含氯的蚀刻剂蚀刻一含铝的导电层;以及进行一自动侧壁氟化铝保护制程的蚀刻步骤,以一含氯的蚀刻气体和一含氟的蚀刻气体为一混合蚀刻剂,蚀刻位于该铝金属层下之一阻障层。14.如申请专利范围第13项所述的制程,其中该自动侧壁氟化铝蚀刻步骤中,该含氯和含氟的混合蚀刻剂之氯氟比小于1。15.如申请专利范围第13项所述的制程,其中在进行该第一蚀刻步骤之前,更包括以一光阻层为蚀刻罩幕。16.如申请专利范围第15项所述的制程,其中在进行该自动侧壁氟化铝保护制程的蚀刻步骤时,更包括以该光阻层为蚀刻罩幕。17.如申请专利范围第15项所述的制程,其中在进行该自动侧壁氟化铝保护制程的蚀刻步骤前,更包括剥除该光阻层,而在进行该自动侧壁氟化铝保护制程的蚀刻步骤时,以该含铝的导电层为蚀刻罩幕。18.如申请专利范围第13项所述的制程,其中在该自动侧壁氟化铝保护制程的蚀刻步骤中,该含氯的蚀刻气体包括Cl2,流量大致为45sccm,该含氟的蚀刻气体包括CF4,流量大致为25sccm。19.如申请专利范围第13项所述的制程,其中在该自动侧壁氟化铝保护制程的蚀刻步骤中,该含氯的蚀刻气体包括Cl2,该含氟的蚀刻气体包括SF6。图式简单说明:第一图A至第一图C系绘示根据本发明一第一较佳实施例之内连线的制造流程剖面图。第二图A至第二图C系绘示根据本发明一第二较佳实施例之内连线的制造流程剖面图。 |
