| 主权项 |
1.一种在一基材上形成一层材料的方法,其至少包含以下的步骤:(a)用离子轰击该基材;(b)在步骤(a)之后,在该基材上沉积一层耐火金属氮化物;及(c)用一第一组离子轰击该层耐火金属氮化物。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(a)包括的步骤有:将该基材曝露于一含有离子的电浆中;及将该基材施加电子偏压用以造成来自于该电浆的离子撞击该基材。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中将该基材曝露于该电浆中的步骤包括了以下的步骤:提供一气体;及提供能量给该气体。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中提供能量给该气体的步骤包括了以下的步骤:提供一具有一频率的讯号给在该晶圆的一第一侧上的第一电极。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该频率是在350至600千赫兹的范围内及该讯号具有一在300至1200伏特的范围内之功率。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该晶圆的温度被设定在300至475℃的范围内。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(a)是在一处理室中实施的且在该处理室中有一压力,而步骤(a)是在0.3至10托耳的压力下被实施的。8.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该气体包含至少一从包含氮气,氢气,及氦气的组群中选取的气体。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该基材为五氧化二钽。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该基材为多晶矽。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(a),步骤(b)及步骤(c)都是在一单一的处理室中实施的且从步骤(a)的开始到步骤(c)的结束的中间该基材都没有从该单一的处理室中被取出。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(b)之使用化学气相沉积来实施。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该层耐火金属氮化物是使用一金属-有机化合物的热分解来沉积的。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该耐火金属氮化物为钛氮化物。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(c)包括了以下的步骤:将该耐火金属氮化物曝露于一包含该第一组离子的电浆下;及将该耐火金属氮化物施加电子偏压用以造成来自于该电浆的离子撞击该基材。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中将该耐火金属氮化物曝露于该电浆中的步骤包括了以下的步骤:提供一气体;及提供能量给该气体。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中提供能量给该气体的步骤包括了以下的步骤:提供一具有一频率的讯号给在该晶圆的一第一侧上的第一电极。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该气体包含至少一从包含氮气,氢气,氩气,氦气及氨气的组群中选取的气体。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该耐火金属氮化物为钛氮化物。20.如申请专利范围第1项所述之方法,其进一步包括了以下的步骤:(d)在步骤(c)之后,用一第二组离子来轰击该耐火金属氮化物。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中步骤(c)包括了以下的步骤:将该耐火金属氮化物曝露于包含该第一组离子的一第一电浆中;及将该耐火金属氮化物施加电子偏压用以造成该第一组离子撞击该该耐火金属氮化物层,及其中步骤(d)包括的步骤有:将该该耐火金属氮化物曝露于包含该第二组离子的一第二电浆中;及将该耐火金属氮化物施加电子偏压用以造成该第二组离子撞击该该耐火金属氮化物层。22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中将该耐火金属氮化物曝露于该第一电浆中的步骤包含了以下的步骤:提供一第一气体,及提供能量给该第一气体用以产生该第一电浆,及其中将该耐火金属氮化物曝露于该第二电浆中的步骤包含了以下的步骤:提供一第二气体,及.提供能量给该第二气体用以产生该第二电浆。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中提供能量给该第一气体的步骤包括了以下的步骤:提供一具有一第一频率的第一讯号给在该基材的一第一侧上的一第一电极,及其中提供能量给该第二气体的步骤包括了以下的步骤:提供一具有一第二频率的第二讯号给在该晶圆的该第一侧上的该第一电极。24.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该第一气体包含至少一从包含氮气,氢气,氩气,氦气及氨气的组群中选取的气体。25.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该第二气体包含至少一从包含氮气,氦气,氩气,及氖气的组群中选取的气体。26.如申请专利范围第20项所述之方法,其中步骤(b)是使用化学气相沉积来实施的。27.如申请专利范围第26项所述之方法,其中该层耐火金属氮化物为钛氮化物。28.一种处理器可读取的贮存媒介,其内贮存有程式码,该程式码是用来在建构一膜层于一在一半导体晶圆上的基材上时控制一室的,其中该室包含一气体面板,一加热元件,一压力控制单元及一讯号源,该程式码包括:一第一程式码,该第一程式码指示一处理器用以提供讯号给该气体面板,该加热元件,该讯号源,及该压力控制单元以造成该基材被电浆退火;一第二程式码,该第二程式码指示该处理器用以提供讯号给该气体面板,该加热元件,及该压力控制单元以造成一层耐火金属氮化物于该基材被电浆退火以作为该第一程式码的回应之后于该室中被沉积于该基材上;及一第三程式码,该第三程式码指示该处理器用以提供讯号给该气体面板,该加热元件,该讯号源,及该压力控制单元以造成该耐火金属氮化物被第一次电浆退火。29.如申请专利范围第28项所述之处理器可读取的贮存媒介,其中该第一程式码指示该处理器用以促使该气体面板提供至少一从包含氮气,氢气,及氦气的组群中选取的气体。30.如申请专利范围第29项所述之处理器可读取的贮存媒介,其中该程式码进一步包括:一第四程式码,该第四程式码指示该处理器用以提供讯号给该气能面板,该加热元件,该讯号源,及该压力控制单元以造成该耐火金属氮化物被第二次电浆退火。31.如申请专利范围第30项所述之处理器可读取的贮存媒介,其中该第三程式码指示该处理器用以促使该气体面板提供至少一从包含氮气,氢气,氩气,氦气及氨气的组群中选取的气体,及其中该第四程式码指示该处理器用以促使该气体面板提供至少一从包含氮气,氦气,氖气及氩气的组群中选取的气体。图式简单说明:第一图(a)-第一图(d)显示出依据本发明之一耐火金属氮化物膜层的形成;第二图(a)显示一具有沉积在一未被电浆退火过的基材上之钛氮化物之结构的俄歇(Auger)深度轮廓;第二图(b)显示一具有沉积在一已依据本发明被电浆退火过的基材上之钛氮化物之结构的俄歇(Auger)深度轮廓;第三图显示一用来形成依据本发明的耐火金属氮化物膜层的处理室;第四图显示用来控制一被用来依据本发明在一基材上形成一耐火金属氮化物膜层的处理室的控制单元;第五图显示在第四图中之控制单元依据本发明所实施的操作顺序。 |
