发明名称 METHOD FOR THE DETERMINATION OF GASEOUS CHEMICAL COMPONENTS IN A PROCESS REACTOR FOR TREATING ELECTRICAL COMPONENTS, IN PARTICULAR WAFERS
摘要 Es wird ein Verfahren zur Messung von gasförmigen chemischen Bestandteilen, insbesondere der chemischen Gaszusammensetzung, in einem Prozessreaktor (10) zum Behandeln von elektrischen Bauelementen, insbesondere Wafern, beschrieben. Ein solcher Prozessreaktor kann beispielsweise ein Sputter-Prozessreaktor sein. Der Prozessreaktor weist wenigstens eine Prozesskammer (12) auf, in der die elektrischen Bauelemente behandelt werden. Um auf einfache und kostengünstige Weise genaue Messungen der chemischen Gaszusammensetzung und damit eine Langzeitüberwachung des Prozessreaktors durchzuführen, wird erfindungsgemäss vorgeschlagen, dass die Messung der gasförmigen chemischen Bestandteile in der Prozesskammer über wenigstens eine Restgas-Analyse-Einrichtung (13) - vorzugsweise ein OIS-Massenspektrometer - durchgeführt wird, wobei zumindest eine Restgas-Analyse-Einrichtung mit der Prozesskammer verbunden ist. Die Messung erfolgt vorzugsweise bei Basisdruck. Weiterhin wird die Messung der gasförmigen chemischen Bestandteile in-situ durchgeführt, wobei die in-situ-Messung der gasförmigen chemischen Bestandteile unmittelbar nach Beendigung eines Behandlungsschritts der elektrischen Bauelemente in der Prozesskammer, insbesondere zwischen zwei aufeinanderfolgenden Behandlungsschritten in der Prozesskammer, durchgeführt wird.
申请公布号 WO0144802(A1) 申请公布日期 2001.06.21
申请号 WO1999DE04014 申请日期 1999.12.16
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;RAMPF, GERALD;HOYER, GUNTHER;SCHMIDBAUER, SVEN 发明人 RAMPF, GERALD;HOYER, GUNTHER;SCHMIDBAUER, SVEN
分类号 C23C14/54;G01N33/00;H01J37/32;H01L21/66;(IPC1-7):G01N33/00 主分类号 C23C14/54
代理机构 代理人
主权项
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