| 主权项 |
1.一种校正半导体晶片(Wafer)传送之方法,其步骤系为:(a)提供一卡式半导体晶片传送辅助校正器(TransferCalibrator);(b)将该卡式半导体晶片传送辅助校正器承置于一晶舟标准承座(Standard Fitted Base Plate)上;(c)提供一晶片单位载具(Wafer Carrier Unit),移动该晶片单位载具进入该卡式半导体晶片传送辅助校正器内;(d)分别检测该晶片单位载具在该卡式半导体晶片传送辅助校正器内之X、Y及Z座标轴方向位置,并再依检测数据调整该晶舟标准承座之X、Y及Z轴方向位置至与所预定之该X、Y及Z轴方向位置相同。2.如申请专利范围第1项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述之卡式半导体晶片传送辅助校正器系由金属材料所制成。3.如申请专利范围第1项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述之晶舟标准承座下方系装有复数个可调式脚座,该晶舟标准承座系可利用该可调式脚座调整前后左右之高低。4.如申请专利范围第1项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述卡式半导体晶片传送辅助校正器之底座系具有与晶舟标准承座完全相容之形状尺寸。5.如申请专利范围第1项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述之卡式半导体晶片传送辅助校正器系包括复数个距离感测器(Distance Sensor)以及一数据处理机(Processor)。6.如申请专利范围第5项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述之距离感测器系为一红外线(IR)感测之系统。7.如申请专利范围第5项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述之距离感测器系为一声纳(Sonar)感测之系统。8.如申请专利范围第6或7项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述之复数个距离感测器系均匀地分布在所述卡式半导体晶片机台传送辅助校正器内部之面上。9.如申请专利范围第6或7项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述距离感测器之设计规格系为至少两排,每排复数个该距离感测器。10.如申请专利范围第5项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述之数据处理机系具备有软体程式(Software Program),可处理各该距离感测器所侦测出之数据。11.如申请专利范围第1项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述之晶片单位载具系有搭配一持取晶片之机械手臂(Robot)装置。12.如申请专利范围第1项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述之调整晶舟标准承座,系利用该晶舟标准承座下方之所述可调式脚架调整。13.如申请专利范围第1项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述之各该方向之预定位置系为所述晶片单位载具与卡式半导体晶片传送辅助校正器之相对位置,为「平行」且「位于中央」。14.如申请专利范围第1项所述校正半导体晶片传送之方法,其中所述之完成座标轴之X轴、Y轴及Z轴三方向之校正,各该方向校正之顺序系可任意排定。15.一种校正半导体晶片(Wafer)传送之装置,其系为一卡式半导体晶片传送辅助校正器(Transfer Calibrator),该卡式半导体晶片传送辅助校正器系包含一数据处理机(Processor),以及复数个均匀地分布在其内部之面上的距离感测器(Distance Sensor)。16.如申请专利范围第15项所述校正半导体晶片传送之装置,其中所述之卡式半导体晶片传送辅助校正器之底座系具有与承载晶舟之晶舟标准承座完全相容之形状尺寸。17.如申请专利范围第15项所述校正半导体晶片传送之装置,其中所述之卡式半导体晶片传送辅助校正器系由金属材料所制成。18.如申请专利范围第15项所述校正半导体晶片传送之装置,其中所述之距离感测器系为一红外线(IR)感测之系统。19.如申请专利范围第15项所述校正半导体晶片传送之装置,其中所述之距离感测器系为一声纳(Sonar)感测之系统。20.如申请范围第18或19项所述校正半导体晶片传送之装置,其中所述复数个距离感测器之设计规格系为至少两排,每排复数个该距离感测器。21.如申请专利范围第15项所述校正半导体晶片传送之装置,其中所述之数据处理机系具备有软体程式,可处理各该距离感测器侦测出之数据。图式简单说明:第一图为习知校正半导体晶片传送之示意图。第二图为本发明实施例中校正半导体晶片传送之示意图。第三图为本发明实施例中校正半导体晶片传送之流程图。 |
