| 主权项 |
1.一种半导体装置,包括:一形成在基板(1)上之导线或主动元件(3);以及一形成在该导线或主动元件(3)上之一电极垫(5),两者间夹有一中间层绝缘薄膜(4),其中一突起状之电极(7)形成在该电极垫(5)的表面上,其目的在于与外部端子连结时保护该导线或主动元件(3)。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该突起状之电极(7)系由镍、铜、铜合金及镍合金所组成之群组中所选出之至少一种材料所制作而成。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该突起状之电极(7)具有一表面薄膜(8),此表面薄膜系由金、铂、及银所组成之群组中所选出之至少一种材料所制作而成。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该突起状之电极(7)仅被制作在该电极垫(5)区域上。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该突起状之电极(7)之高度介于0.5微米至10微米之间。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该表面薄膜之高度介于0.05微米至2微米之间。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该突起状之电极(7)系以磷化镍材料所制成,其中该磷化镍材料里之磷含量介于7%至11%之间。8.一种半导体装置,包括一基板(1);一导线或主动元件(3),其被制作于该基板(1)上;一电极垫(5),其被制作于该导线或主动元件(3)上,两者间夹有一中间层绝缘薄膜(4);一缓冲层(7),其被制于该电极垫(5)上,以缓和在做金属导线连结时对该电极垫(5)下方部分所造成之影响;以及一外部连线(9,10),其以压焊方式连结在该缓冲层(7)上。9.如申请专利范围第8项之半导体装置,进一步包含:一保护薄膜(6),由该中间层绝缘薄膜(4)处延伸至该电极垫(5)之边缘部分,且在该电极垫(5)上具有一缺口,其中该缓冲层(7)由于该缺口位置之电极垫(5)上方处延伸至该保护薄膜(6)上方处。10.如申请专利范围第8项之半导体装置,其中该外部电极(9,10)包含一连接线或引线。图式简单说明:第一图为本发明之半导体晶片之垫结构的截面图;第二图为本发明之半导体晶片之垫结构以及一TCP连结物的截面图;第三图为本发明之半导体晶片之垫结构以及一塑模封装和一基板(印刷电路板或陶瓷板)的截面图;第四图为采用先前技术所制成之半导体晶片之垫结构的截面图;以及第五图为采用先前技术所制成之另一类型的半导体晶片之垫结构的截面图。 |
